RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Lexar Co Limited LD4AU016G-H3200GST 16GB
Wilk Elektronik S.A. GR2666D464L19/16G 16GB
Vergleichen Sie
Lexar Co Limited LD4AU016G-H3200GST 16GB vs Wilk Elektronik S.A. GR2666D464L19/16G 16GB
Gesamtnote
Lexar Co Limited LD4AU016G-H3200GST 16GB
Gesamtnote
Wilk Elektronik S.A. GR2666D464L19/16G 16GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
Lexar Co Limited LD4AU016G-H3200GST 16GB
Einen Fehler melden
Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
17.8
16.1
Durchschnittswert bei den Tests
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
12.5
11.5
Durchschnittswert bei den Tests
Höhere Speicherbandbreite, mbps
25600
21300
Rund um 1.2% höhere Bandbreite
Gründe für die Berücksichtigung
Wilk Elektronik S.A. GR2666D464L19/16G 16GB
Einen Fehler melden
Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
29
33
Rund um -14% geringere Latenzzeit
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
Lexar Co Limited LD4AU016G-H3200GST 16GB
Wilk Elektronik S.A. GR2666D464L19/16G 16GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR4
DDR4
Latenzzeit in PassMark, ns
33
29
Lesegeschwindigkeit, GB/s
17.8
16.1
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
12.5
11.5
Speicherbandbreite, mbps
25600
21300
Other
Beschreibung
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 24
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23
Timings / Taktgeschwindigkeit
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
3285
3098
Lexar Co Limited LD4AU016G-H3200GST 16GB RAM-Vergleiche
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Wilk Elektronik S.A. GR2666D464L19/16G 16GB RAM-Vergleiche
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Letzte Vergleiche
Kingston 2GB-DDR2 800Mhz 2GB
Chun Well Technology Holding Limited CL16-18-18 D4-3200
Team Group Inc. UD5-6400 16GB
Smart Modular SMU4WEC8C1K0464FCG 8GB
Samsung M471B5273CH0-CF8 4GB
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
G Skill Intl F4-3000C16-16GSXKB 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C
Micron Technology TEAMGROUP-UD4-3000 16GB
SK Hynix HMT151R7TFR4C-H9 4GB
Apacer Technology 76.B305G.D500B 4GB
Kingston KHX3200C18D4/8G 8GB
Team Group Inc. TEAMGROUP-ED4-2400 16GB
AMD R538G1601U2S-UO 8GB
Corsair CMK32GX4M4B3866C18 8GB
A-DATA Technology AM2U16BC4P2-B05B 4GB
Apacer Technology 78.CAGMR.ARC0B 8GB
A-DATA Technology AM2U16BC4P2-B05B 4GB
Samsung M378A1K43BB2-CRC 8GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BN-AD 2GB
SK Hynix HMAA2GS6AJR8N-XN 16GB
Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB
Samsung M471A2K43CB1-CRCR 16GB
Kingston 2GB-DDR2 800Mhz 2GB
Kingston HP32D4U8S8HC-8X 8GB
Asgard VMA45UG-MEC1U2AW1 8GB
G Skill Intl F4-4266C19-8GTZKW 8GB
Einen Fehler melden
×
Bug description
Source link