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Micron Technology 16GB 2133MHz DIMM 16GB
Samsung M471A2K43BB1-CTD 16GB
Vergleichen Sie
Micron Technology 16GB 2133MHz DIMM 16GB vs Samsung M471A2K43BB1-CTD 16GB
Gesamtnote
Micron Technology 16GB 2133MHz DIMM 16GB
Gesamtnote
Samsung M471A2K43BB1-CTD 16GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
Micron Technology 16GB 2133MHz DIMM 16GB
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Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
17.3
17
Durchschnittswert bei den Tests
Gründe für die Berücksichtigung
Samsung M471A2K43BB1-CTD 16GB
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Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
14.7
13.2
Durchschnittswert bei den Tests
Höhere Speicherbandbreite, mbps
21300
17000
Rund um 1.25 höhere Bandbreite
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
Micron Technology 16GB 2133MHz DIMM 16GB
Samsung M471A2K43BB1-CTD 16GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR4
DDR4
Latenzzeit in PassMark, ns
23
23
Lesegeschwindigkeit, GB/s
17.3
17.0
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
13.2
14.7
Speicherbandbreite, mbps
17000
21300
Other
Beschreibung
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Timings / Taktgeschwindigkeit
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
3233
3156
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CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
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