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Micron Technology 16GB 2133MHz DIMM 16GB
Samsung M471A2K43BB1-CTD 16GB
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Micron Technology 16GB 2133MHz DIMM 16GB vs Samsung M471A2K43BB1-CTD 16GB
Puntuación global
Micron Technology 16GB 2133MHz DIMM 16GB
Puntuación global
Samsung M471A2K43BB1-CTD 16GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
Micron Technology 16GB 2133MHz DIMM 16GB
Informar de un error
Mayor velocidad de lectura, GB/s
17.3
17
Valor medio en las pruebas
Razones a tener en cuenta
Samsung M471A2K43BB1-CTD 16GB
Informar de un error
Mayor velocidad de escritura, GB/s
14.7
13.2
Valor medio en las pruebas
Mayor ancho de banda de la memoria, mbps
21300
17000
En 1.25 mayor ancho de banda
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Micron Technology 16GB 2133MHz DIMM 16GB
Samsung M471A2K43BB1-CTD 16GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR4
DDR4
Latencia en PassMark, ns
23
23
Velocidad de lectura, GB/s
17.3
17.0
Velocidad de escritura, GB/s
13.2
14.7
Ancho de banda de la memoria, mbps
17000
21300
Other
Descripción
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Tiempos / Velocidad del reloj
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
3233
3156
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RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
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Absolute Latency
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CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Kingston 99U5474-022.A00LF 2GB
G Skill Intl F4-3200C14-8GTZKO 8GB
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
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