RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Micron Technology 16HTF25664HY-800G1 2GB
Samsung M378A1K43BB2-CRC 8GB
Vergleichen Sie
Micron Technology 16HTF25664HY-800G1 2GB vs Samsung M378A1K43BB2-CRC 8GB
Gesamtnote
Micron Technology 16HTF25664HY-800G1 2GB
Gesamtnote
Samsung M378A1K43BB2-CRC 8GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
Micron Technology 16HTF25664HY-800G1 2GB
Einen Fehler melden
Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
4
14.7
Durchschnittswert bei den Tests
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
2,350.7
10.0
Durchschnittswert bei den Tests
Gründe für die Berücksichtigung
Samsung M378A1K43BB2-CRC 8GB
Einen Fehler melden
Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
36
74
Rund um -106% geringere Latenzzeit
Höhere Speicherbandbreite, mbps
19200
6400
Rund um 3 höhere Bandbreite
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
Micron Technology 16HTF25664HY-800G1 2GB
Samsung M378A1K43BB2-CRC 8GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR2
DDR4
Latenzzeit in PassMark, ns
74
36
Lesegeschwindigkeit, GB/s
4,148.3
14.7
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
2,350.7
10.0
Speicherbandbreite, mbps
6400
19200
Other
Beschreibung
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Timings / Taktgeschwindigkeit
5-5-5-15 / 800 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
669
2490
Micron Technology 16HTF25664HY-800G1 2GB RAM-Vergleiche
Kingmax Semiconductor KLDE88F-B8HS5 2GB
Wilk Elektronik S.A. W-HK26S16G 16GB
Samsung M378A1K43BB2-CRC 8GB RAM-Vergleiche
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Letzte Vergleiche
G Skill Intl F5-6400J3239G16G 16GB
G Skill Intl F4-4266C19-8GTZSW 8GB
SK Hynix HMT425S6CFR6A-PB 2GB
Essencore Limited IM44GU48N21-FFFHM 4GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Kingston 9965589-008.D02G 8GB
Micron Technology 16HTF25664HY-800G1 2GB
Samsung M378A1K43BB2-CRC 8GB
Kingston 99U5471-056.A00LF 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) 4000 C19 Series 8GB
Kingston 99U5469-045.A00LF 4GB
Essencore Limited KD48GU481-26N1600 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD38G1600L2S 8GB
Kingston 9905678-043.A00G 8GB
Samsung M3 78T2953EZ3-CF7 1GB
Corsair CMT64GX4M4K3600C18 16GB
Kingmax Semiconductor FLFE85F-C8KM9 2GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GTZ 16GB
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
Micron Technology 18ADF2G72AZ-2G6E1 16GB
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Corsair CMK4GX4M1D2400C14 4GB
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB
Essencore Limited IM44GU48N21-FFFHM 4GB
Kingston 9905584-016.A00LF 4GB
Kingston 9905678-156.A00G 8GB
Micron Technology 8ATF1G64AZ-3G2R1 8GB
Corsair CM4X16GE2400C16K4 16GB
Einen Fehler melden
×
Bug description
Source link