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Micron Technology 16HTF25664HY-800G1 2GB
Samsung M378A1K43BB2-CRC 8GB
Confronto
Micron Technology 16HTF25664HY-800G1 2GB vs Samsung M378A1K43BB2-CRC 8GB
Punteggio complessivo
Micron Technology 16HTF25664HY-800G1 2GB
Punteggio complessivo
Samsung M378A1K43BB2-CRC 8GB
Differenze
Specifiche tecniche
Commenti
Differenze
Motivi da considerare
Micron Technology 16HTF25664HY-800G1 2GB
Segnala un bug
Velocità di lettura più elevata, GB/s
4
14.7
Valore medio nei test
Velocità di scrittura più elevata, GB/s
2,350.7
10.0
Valore medio nei test
Motivi da considerare
Samsung M378A1K43BB2-CRC 8GB
Segnala un bug
Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns
36
74
Intorno -106% latenza inferiore
Larghezza di banda di memoria superiore, mbps
19200
6400
Intorno 3 larghezza di banda superiore
Specifiche tecniche
Elenco completo delle specifiche tecniche
Micron Technology 16HTF25664HY-800G1 2GB
Samsung M378A1K43BB2-CRC 8GB
Caratteristiche principali
Tipo di memoria
DDR2
DDR4
Latenza in PassMark, ns
74
36
Velocità di lettura, GB/s
4,148.3
14.7
Velocità di scrittura, GB/s
2,350.7
10.0
Larghezza di banda della memoria, mbps
6400
19200
Other
Descrizione
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Temporizzazioni / Velocità di clock
5-5-5-15 / 800 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Classifica PassMark (più sono, meglio è)
669
2490
Micron Technology 16HTF25664HY-800G1 2GB Confronto tra le RAM
Kingmax Semiconductor KLDE88F-B8HS5 2GB
Wilk Elektronik S.A. W-HK26S16G 16GB
Samsung M378A1K43BB2-CRC 8GB Confronto tra le RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Corsair CMW32GX4M2Z3600C14 16GB
Kingston KHX3200C18D4/8G 8GB
A-DATA Technology AO1P24HC4R1-BUYS 4GB
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