RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Informazioni sul sito
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Micron Technology 16HTF25664HY-800G1 2GB
Kingmax Semiconductor KLDE88F-B8HS5 2GB
Confronto
Micron Technology 16HTF25664HY-800G1 2GB vs Kingmax Semiconductor KLDE88F-B8HS5 2GB
Punteggio complessivo
Micron Technology 16HTF25664HY-800G1 2GB
Punteggio complessivo
Kingmax Semiconductor KLDE88F-B8HS5 2GB
Differenze
Specifiche tecniche
Commenti
Differenze
Motivi da considerare
Micron Technology 16HTF25664HY-800G1 2GB
Segnala un bug
Velocità di scrittura più elevata, GB/s
2,350.7
2,275.0
Valore medio nei test
Motivi da considerare
Kingmax Semiconductor KLDE88F-B8HS5 2GB
Segnala un bug
Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns
54
74
Intorno -37% latenza inferiore
Velocità di lettura più elevata, GB/s
4
4
Valore medio nei test
Specifiche tecniche
Elenco completo delle specifiche tecniche
Micron Technology 16HTF25664HY-800G1 2GB
Kingmax Semiconductor KLDE88F-B8HS5 2GB
Caratteristiche principali
Tipo di memoria
DDR2
DDR2
Latenza in PassMark, ns
74
54
Velocità di lettura, GB/s
4,148.3
4,390.6
Velocità di scrittura, GB/s
2,350.7
2,275.0
Larghezza di banda della memoria, mbps
6400
6400
Other
Descrizione
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
Temporizzazioni / Velocità di clock
5-5-5-15 / 800 MHz
5-5-5-15 / 800 MHz
Classifica PassMark (più sono, meglio è)
669
669
Micron Technology 16HTF25664HY-800G1 2GB Confronto tra le RAM
Wilk Elektronik S.A. W-HK26S16G 16GB
Kingmax Semiconductor KLDE88F-B8HS5 2GB Confronto tra le RAM
Samsung M4 70T5663QZ3-CF7 2GB
SK Hynix HYMP125S64CP8-S6 2GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Ultimi confronti
Kingston 99U5474-023.A00LF 4GB
Kingston CBD24D4S7S8ME-8 8GB
Micron Technology 16HTF25664HY-800G1 2GB
Kingmax Semiconductor KLDE88F-B8HS5 2GB
Kingston ACR512X64D3S13C9G 4GB
Crucial Technology B|B8G4D30BET4K.C8FD 8GB
Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) 4133 C19 Series 8GB
Kingston 9905403-174.A00LF 2GB
G Skill Intl F4-2800C15-8GTXG 8GB
Corsair CML8GX3M2A1866C9 4GB
Galaxy Microsystems Ltd. GOC2017-Fugger 8GB
Kingston 2GB-DDR2 800Mhz 2GB
Crucial Technology BLS8G4D26BFSC.16FBD2 8GB
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
G Skill Intl F4-3400C16-8GTZ 8GB
SanMax Technologies Inc. SMD4-E16G48ME-26V 16GB
SK Hynix HMA82GS6DJR8N-XN 16GB
Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB
Kingston 9905678-023.A00G 8GB
Kingston HX426C16FB2/8-SP 8GB
Crucial Technology BL8G36C16U4BL.M8FE1 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Micron Technology 16ATF2G64HZ-2G6E1 16GB
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
Kingston KKRVFX-MIE 8GB
Kingston 99U5403-465.A00LF 8GB
Micron Technology 36ASF4G72PZ-2G1A1 32GB
Segnala un bug
×
Bug description
Source link