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Samsung M4 70T5663QZ3-CF7 2GB
Kingmax Semiconductor KLDE88F-B8HS5 2GB
Confronto
Samsung M4 70T5663QZ3-CF7 2GB vs Kingmax Semiconductor KLDE88F-B8HS5 2GB
Punteggio complessivo
Samsung M4 70T5663QZ3-CF7 2GB
Punteggio complessivo
Kingmax Semiconductor KLDE88F-B8HS5 2GB
Differenze
Specifiche tecniche
Commenti
Differenze
Motivi da considerare
Samsung M4 70T5663QZ3-CF7 2GB
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Velocità di lettura più elevata, GB/s
4
4
Valore medio nei test
Motivi da considerare
Kingmax Semiconductor KLDE88F-B8HS5 2GB
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Al di sotto della latenza nei test PassMark, ns
54
64
Intorno -19% latenza inferiore
Velocità di scrittura più elevata, GB/s
2,275.0
1,869.1
Valore medio nei test
Specifiche tecniche
Elenco completo delle specifiche tecniche
Samsung M4 70T5663QZ3-CF7 2GB
Kingmax Semiconductor KLDE88F-B8HS5 2GB
Caratteristiche principali
Tipo di memoria
DDR2
DDR2
Latenza in PassMark, ns
64
54
Velocità di lettura, GB/s
4,477.7
4,390.6
Velocità di scrittura, GB/s
1,869.1
2,275.0
Larghezza di banda della memoria, mbps
6400
6400
Other
Descrizione
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
Temporizzazioni / Velocità di clock
5-5-5-15 / 800 MHz
5-5-5-15 / 800 MHz
Classifica PassMark (più sono, meglio è)
697
669
Samsung M4 70T5663QZ3-CF7 2GB Confronto tra le RAM
Samsung M4 70T5663RZ3-CF7 2GB
SK Hynix HYMP125S64CP8-S6 2GB
Kingmax Semiconductor KLDE88F-B8HS5 2GB Confronto tra le RAM
SK Hynix HYMP125S64CP8-S6 2GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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SpecTek Incorporated ?????????????????? 2GB
Transcend Information TS2GLH64V6B 16GB
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