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Samsung M4 70T5663QZ3-CF7 2GB
Kingmax Semiconductor KLDE88F-B8HS5 2GB
Vergleichen Sie
Samsung M4 70T5663QZ3-CF7 2GB vs Kingmax Semiconductor KLDE88F-B8HS5 2GB
Gesamtnote
Samsung M4 70T5663QZ3-CF7 2GB
Gesamtnote
Kingmax Semiconductor KLDE88F-B8HS5 2GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
Samsung M4 70T5663QZ3-CF7 2GB
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Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
4
4
Durchschnittswert bei den Tests
Gründe für die Berücksichtigung
Kingmax Semiconductor KLDE88F-B8HS5 2GB
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Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
54
64
Rund um -19% geringere Latenzzeit
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
2,275.0
1,869.1
Durchschnittswert bei den Tests
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
Samsung M4 70T5663QZ3-CF7 2GB
Kingmax Semiconductor KLDE88F-B8HS5 2GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR2
DDR2
Latenzzeit in PassMark, ns
64
54
Lesegeschwindigkeit, GB/s
4,477.7
4,390.6
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
1,869.1
2,275.0
Speicherbandbreite, mbps
6400
6400
Other
Beschreibung
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
Timings / Taktgeschwindigkeit
5-5-5-15 / 800 MHz
5-5-5-15 / 800 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
697
669
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Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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