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Samsung M4 70T5663QZ3-CF7 2GB
Kingmax Semiconductor KLDE88F-B8HS5 2GB
Compara
Samsung M4 70T5663QZ3-CF7 2GB vs Kingmax Semiconductor KLDE88F-B8HS5 2GB
Puntuación global
Samsung M4 70T5663QZ3-CF7 2GB
Puntuación global
Kingmax Semiconductor KLDE88F-B8HS5 2GB
Diferencias
Especificaciones
Comentarios
Diferencias
Razones a tener en cuenta
Samsung M4 70T5663QZ3-CF7 2GB
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Mayor velocidad de lectura, GB/s
4
4
Valor medio en las pruebas
Razones a tener en cuenta
Kingmax Semiconductor KLDE88F-B8HS5 2GB
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Por debajo de la latencia en las pruebas PassMark, ns
54
64
En -19% menor latencia
Mayor velocidad de escritura, GB/s
2,275.0
1,869.1
Valor medio en las pruebas
Especificaciones
Lista completa de especificaciones técnicas
Samsung M4 70T5663QZ3-CF7 2GB
Kingmax Semiconductor KLDE88F-B8HS5 2GB
Principales características
Tipo de memoria
DDR2
DDR2
Latencia en PassMark, ns
64
54
Velocidad de lectura, GB/s
4,477.7
4,390.6
Velocidad de escritura, GB/s
1,869.1
2,275.0
Ancho de banda de la memoria, mbps
6400
6400
Other
Descripción
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
Tiempos / Velocidad del reloj
5-5-5-15 / 800 MHz
5-5-5-15 / 800 MHz
Clasificación PassMark (Cuanto más, mejor)
697
669
Samsung M4 70T5663QZ3-CF7 2GB Comparaciones de la memoria RAM
Samsung M4 70T5663RZ3-CF7 2GB
SK Hynix HYMP125S64CP8-S6 2GB
Kingmax Semiconductor KLDE88F-B8HS5 2GB Comparaciones de la memoria RAM
SK Hynix HYMP125S64CP8-S6 2GB
RAM Latency Calculator
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RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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