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Samsung M4 70T5663QZ3-CF7 2GB
Kingmax Semiconductor KLDE88F-B8HS5 2GB
Comparez
Samsung M4 70T5663QZ3-CF7 2GB vs Kingmax Semiconductor KLDE88F-B8HS5 2GB
Note globale
Samsung M4 70T5663QZ3-CF7 2GB
Note globale
Kingmax Semiconductor KLDE88F-B8HS5 2GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
Samsung M4 70T5663QZ3-CF7 2GB
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Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
4
4
Valeur moyenne dans les tests
Raisons de considérer
Kingmax Semiconductor KLDE88F-B8HS5 2GB
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En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
54
64
Autour de -19% latence réduite
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
2,275.0
1,869.1
Valeur moyenne dans les tests
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
Samsung M4 70T5663QZ3-CF7 2GB
Kingmax Semiconductor KLDE88F-B8HS5 2GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR2
DDR2
Latence dans PassMark, ns
64
54
Vitesse de lecture, GB/s
4,477.7
4,390.6
Vitesse d'écriture, GB/s
1,869.1
2,275.0
Largeur de bande de la mémoire, mbps
6400
6400
Other
Description
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
Timings / Vitesse d'horloge
5-5-5-15 / 800 MHz
5-5-5-15 / 800 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
697
669
Samsung M4 70T5663QZ3-CF7 2GB Comparaison des RAM
Samsung M4 70T5663RZ3-CF7 2GB
SK Hynix HYMP125S64CP8-S6 2GB
Kingmax Semiconductor KLDE88F-B8HS5 2GB Comparaison des RAM
SK Hynix HYMP125S64CP8-S6 2GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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