RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Micron Technology 16JSF25664HZ-1G1F1 2GB
Corsair CMD16GX4M4B3600C18 4GB
Vergleichen Sie
Micron Technology 16JSF25664HZ-1G1F1 2GB vs Corsair CMD16GX4M4B3600C18 4GB
Gesamtnote
Micron Technology 16JSF25664HZ-1G1F1 2GB
Gesamtnote
Corsair CMD16GX4M4B3600C18 4GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
Micron Technology 16JSF25664HZ-1G1F1 2GB
Einen Fehler melden
Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
29
30
Rund um 3% geringere Latenzzeit
Gründe für die Berücksichtigung
Corsair CMD16GX4M4B3600C18 4GB
Einen Fehler melden
Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
16.6
10.5
Durchschnittswert bei den Tests
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
12.3
7.1
Durchschnittswert bei den Tests
Höhere Speicherbandbreite, mbps
17000
8500
Rund um 2 höhere Bandbreite
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
Micron Technology 16JSF25664HZ-1G1F1 2GB
Corsair CMD16GX4M4B3600C18 4GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR3
DDR4
Latenzzeit in PassMark, ns
29
30
Lesegeschwindigkeit, GB/s
10.5
16.6
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
7.1
12.3
Speicherbandbreite, mbps
8500
17000
Other
Beschreibung
PC3-8500, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16
Timings / Taktgeschwindigkeit
7-7-7-20 / 1066 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
1425
3279
Micron Technology 16JSF25664HZ-1G1F1 2GB RAM-Vergleiche
Netlist N*D1G7A2250BFD53I2 8GB
Crucial Technology BLS8G4D26BFSBK.8FBD 8GB
Corsair CMD16GX4M4B3600C18 4GB RAM-Vergleiche
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Letzte Vergleiche
Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB
Thermaltake Technology Co Ltd RA24D408GX2-3600C18A 8GB
Crucial Technology CT102464BF160B.16F 8GB
G Skill Intl F4-3600C16-8GTESC 8GB
Micron Technology 16JSF25664HZ-1G1F1 2GB
Corsair CMD16GX4M4B3600C18 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD34G16002 4GB
Team Group Inc. TEAMGROUP-ED4-2400 16GB
Kingston KVR16N11/8-SP 8GB
G Skill Intl F4-2400C17-4GNT 4GB
Samsung M393B1K70CH0-YH9 8GB
Kingston 9905701-143.A00G 16GB
Team Group Inc. UD5-6400 16GB
Crucial Technology BL8G36C16U4W.M8FE1 8GB
Kingston ACR512X64D3S13C9G 4GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GTZN 16GB
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
G Skill Intl F4-3466C16-8GTZKW 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Crucial Technology CT16G4DFRA266.C16FP 16GB
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
Samsung M378A5244CB0-CTD 4GB
Kingston 99U5584-005.A00LF 4GB
SK Hynix HMA82GS6AFR8N-UH 16GB
Lexar Co Limited LD4AU016G-H3200GST 16GB
Corsair CMSX16GX4M2A3200C22 8GB
Corsair CML16GX3M2A1600C10 8GB
Apacer Technology AQD-D4U8GN24-SE 8GB
Einen Fehler melden
×
Bug description
Source link