RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Micron Technology 16JSF25664HZ-1G1F1 2GB
Corsair CMD16GX4M4B3600C18 4GB
Сравнить
Micron Technology 16JSF25664HZ-1G1F1 2GB против Corsair CMD16GX4M4B3600C18 4GB
-->
Средняя оценка
Micron Technology 16JSF25664HZ-1G1F1 2GB
Средняя оценка
Corsair CMD16GX4M4B3600C18 4GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Micron Technology 16JSF25664HZ-1G1F1 2GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
29
30
Около 3% меньшая задержка
Причины выбрать
Corsair CMD16GX4M4B3600C18 4GB
Сообщить об ошибке
Выше скорость чтения
16.6
10.5
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
12.3
7.1
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
17000
8500
Около 2 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Micron Technology 16JSF25664HZ-1G1F1 2GB
Corsair CMD16GX4M4B3600C18 4GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR3
DDR4
Задержка в PassMark, нс
29
30
Скорость чтения, Гб/сек
10.5
16.6
Скорость записи, Гб/сек
7.1
12.3
Пропускная способность памяти, мбит/сек
8500
17000
Other
Описание
PC3-8500, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16
Тайминги / частота
7-7-7-20 / 1066 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
1425
3279
Micron Technology 16JSF25664HZ-1G1F1 2GB Сравнения RAM
Netlist N*D1G7A2250BFD53I2 8GB
Crucial Technology BLS8G4D26BFSBK.8FBD 8GB
Corsair CMD16GX4M4B3600C18 4GB Сравнения RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
Corsair CMK64GX4M4C3333C16 16GB
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
G Skill Intl F4-2933C14-16GTZRX 16GB
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Samsung M393A2K40CB1-CRC 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD34G16002 4GB
Wilk Elektronik S.A. IRX3200D464L16S/8G 8GB
Kingmax Semiconductor FLFE85F-C8KM9 2GB
Nanya Technology M471A5143EB1-CRC 4GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Crucial Technology CT4G4SFS8213.C8FDD2 4GB
SK Hynix HYMP512S64CP8-Y5 1GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GSX 8GB
Kingston ACR512X64D3S13C9G 4GB
Panram International Corporation PUD43000C154G4NJW 4GB
Kingston ACR512X64D3S13C9G 4GB
Ramaxel Technology RMSA3320MJ78HAF-3200 8GB
SK Hynix HMT325U6CFR8C-PB 2GB
Smart Modular SF4722G4CKHH6DFSDS 16GB
Corsair CML16GX3M2A1600C10 8GB
Teikon TMA851U6AFR6N-UHHC 4GB
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
Corsair CM4X8GD3200C16K4 8GB
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
Avant Technology J644GU44J2320NQ 32GB
SK Hynix HMT31GR7CFR4C-PB 8GB
Kingston KHX3600C18D4/32GX 32GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link