RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Micron Technology 16JSF25664HZ-1G1F1 2GB
DSL Memory CIR-W4SUSS2408G 8GB
Vergleichen Sie
Micron Technology 16JSF25664HZ-1G1F1 2GB vs DSL Memory CIR-W4SUSS2408G 8GB
Gesamtnote
Micron Technology 16JSF25664HZ-1G1F1 2GB
Gesamtnote
DSL Memory CIR-W4SUSS2408G 8GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
Micron Technology 16JSF25664HZ-1G1F1 2GB
Einen Fehler melden
Gründe für die Berücksichtigung
DSL Memory CIR-W4SUSS2408G 8GB
Einen Fehler melden
Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
22
29
Rund um -32% geringere Latenzzeit
Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
17.6
10.5
Durchschnittswert bei den Tests
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
13.2
7.1
Durchschnittswert bei den Tests
Höhere Speicherbandbreite, mbps
19200
8500
Rund um 2.26 höhere Bandbreite
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
Micron Technology 16JSF25664HZ-1G1F1 2GB
DSL Memory CIR-W4SUSS2408G 8GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR3
DDR4
Latenzzeit in PassMark, ns
29
22
Lesegeschwindigkeit, GB/s
10.5
17.6
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
7.1
13.2
Speicherbandbreite, mbps
8500
19200
Other
Beschreibung
PC3-8500, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Timings / Taktgeschwindigkeit
7-7-7-20 / 1066 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
1425
3024
Micron Technology 16JSF25664HZ-1G1F1 2GB RAM-Vergleiche
Netlist N*D1G7A2250BFD53I2 8GB
Crucial Technology BLS8G4D26BFSBK.8FBD 8GB
DSL Memory CIR-W4SUSS2408G 8GB RAM-Vergleiche
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Letzte Vergleiche
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
Golden Empire CL16-16-16 D4-3000 4GB
Micron Technology 16JSF25664HZ-1G1F1 2GB
DSL Memory CIR-W4SUSS2408G 8GB
A-DATA Technology DOVF1B163G2G 2GB
SK Hynix HMA81GR7AFR8N-VK 8GB
A-DATA Technology AD73I1C1674EV 4GB
Kingston 9905598-009.A00G 8GB
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
G Skill Intl F4-3466C18-8GSXW 8GB
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Corsair CMK32GX4M4D3000C16 8GB
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
Kingston KV0M5R-MIE 8GB
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
Panram International Corporation W4U2133PS-8G 8GB
Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB
Wilk Elektronik S.A. IR2400D464L15S/4G 4GB
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
Micron Technology 16ATF2G64AZ-2G3A1 16GB
Nanya Technology M2N1G64TUH8D5F-AC 1GB
Corsair CMR64GX4M4C3200C16 16GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BN-AD 2GB
Corsair CMT32GX4M2C3600C18 16GB
Wilk Elektronik S.A. GY1866D364L9A/4G 4GB
Kingston KHX2400C15S4/16G 16GB
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB
G Skill Intl F4-4000C19-4GVK 4GB
Einen Fehler melden
×
Bug description
Source link