RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
Golden Empire CL16-16-16 D4-3000 4GB
Vergleichen Sie
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB vs Golden Empire CL16-16-16 D4-3000 4GB
Gesamtnote
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
Gesamtnote
Golden Empire CL16-16-16 D4-3000 4GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
Einen Fehler melden
Gründe für die Berücksichtigung
Golden Empire CL16-16-16 D4-3000 4GB
Einen Fehler melden
Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
29
30
Rund um -3% geringere Latenzzeit
Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
16
10.6
Durchschnittswert bei den Tests
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
12.6
6.8
Durchschnittswert bei den Tests
Höhere Speicherbandbreite, mbps
19200
8500
Rund um 2.26 höhere Bandbreite
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
Golden Empire CL16-16-16 D4-3000 4GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR3
DDR4
Latenzzeit in PassMark, ns
30
29
Lesegeschwindigkeit, GB/s
10.6
16.0
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
6.8
12.6
Speicherbandbreite, mbps
8500
19200
Other
Beschreibung
PC3-8500, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 14 15 16
Timings / Taktgeschwindigkeit
7-7-7-20 / 1066 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
1479
3291
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB RAM-Vergleiche
Kingston 99U5403-036.A00G 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT112U6TFR8C-H9 1GB
Golden Empire CL16-16-16 D4-3000 4GB RAM-Vergleiche
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Letzte Vergleiche
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
Golden Empire CL16-16-16 D4-3000 4GB
Wilk Elektronik S.A. GR1333D364L9/4G 4GB
Crucial Technology CT16G4SFD824A.C16FDD 16GB
SanMax Technologies Inc. SMD4-E16G48ME-26V 16GB
SanMax Technologies Inc. SMD4-U8G28MA-21P 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Galaxy Microsystems Ltd. GOC2017-Fugger 8GB
SK Hynix HMT451S6BFR8A-PB 4GB
Apacer Technology 78.D2GF2.AU30B 16GB
Corsair CM2X1024-6400C4 1GB
Team Group Inc. TEAMGROUP-UD4-4300 8GB
Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB
Panram International Corporation W4N2400PS-8G 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD38G1600L2S 8GB
G Skill Intl F4-2666C15-8GRR 8GB
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0AS 4GB
G Skill Intl F4-3000C14-16GTZ 16GB
Kingston 9965433-034.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-4000C17-16GVKB 16GB
SK Hynix HMT425S6CFR6A-PB 2GB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G3E2 8GB
Team Group Inc. Vulcan-1600 4GB
Corsair CMSO8GX4M1A2133C15 8GB
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
SK Hynix HMA81GU6CJR8N-XN 8GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Samsung V-GeN D4S4GL32A8TL 4GB
‹
›
Einen Fehler melden
×
Bug description
Source link