RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
Golden Empire CL16-16-16 D4-3000 4GB
Сравнить
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB против Golden Empire CL16-16-16 D4-3000 4GB
-->
Средняя оценка
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
Средняя оценка
Golden Empire CL16-16-16 D4-3000 4GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
Сообщить об ошибке
Причины выбрать
Golden Empire CL16-16-16 D4-3000 4GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
29
30
Около -3% меньшая задержка
Выше скорость чтения
16
10.6
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
12.6
6.8
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
19200
8500
Около 2.26 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
Golden Empire CL16-16-16 D4-3000 4GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR3
DDR4
Задержка в PassMark, нс
30
29
Скорость чтения, Гб/сек
10.6
16.0
Скорость записи, Гб/сек
6.8
12.6
Пропускная способность памяти, мбит/сек
8500
19200
Other
Описание
PC3-8500, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 14 15 16
Тайминги / частота
7-7-7-20 / 1066 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
1479
3291
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB Сравнения RAM
Kingston 99U5403-036.A00G 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT112U6TFR8C-H9 1GB
Golden Empire CL16-16-16 D4-3000 4GB Сравнения RAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Kingston 9905625-142.A00G 16GB
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
Gloway International Co. Ltd. TYA4U2666D19081C 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6AFR8A
Corsair CMT64GX4M2C3600C18 32GB
A-DATA Technology AM2U16BC4P2-B05B 4GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSCK.8FD 8GB
Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB
V-GEN D4S8GL32A8TS 8GB
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB
G Skill Intl F4-3600C17-8GTZKW 8GB
Kingston 9905702-010.A00G 8GB
Kingston 9905599-010.A00G 4GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
SK Hynix HMA82GR7AFR8N-UH 16GB
Corsair CM2X1024-8500C5D 1GB
G Skill Intl F4-2133C15-8GRS 8GB
ASint Technology SSA302G08-EGN1C 4GB
V-Color Technology Inc. TL48G36S8KBNRGB18 8GB
Kingston HX318C10FK/4 4GB
Corsair CMK16GX4M2D3200C16 8GB
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
Corsair CMW128GX4M4D3000C16 32GB
Corsair CM2X1024-6400C4 1GB
Crucial Technology CT32G4SFD832A.C16FB 32GB
Kingston K531R8-MIN 4GB
Crucial Technology CT4G4SFS8213.C8FHP 4GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link