RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
О сайте
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Kingston 9905625-142.A00G 16GB
Сравнить
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB против Kingston 9905625-142.A00G 16GB
-->
Средняя оценка
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Средняя оценка
Kingston 9905625-142.A00G 16GB
Различия
Спецификации
Комментарии
Различия
Причины выбрать
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Сообщить об ошибке
Причины выбрать
Kingston 9905625-142.A00G 16GB
Сообщить об ошибке
Ниже задержка в тестах PassMark, нс
29
54
Около -86% меньшая задержка
Выше скорость чтения
13.8
9.2
Среднее значение в тестах
Выше скорость записи
10.7
8.1
Среднее значение в тестах
Выше пропускная способность
19200
12800
Около 1.5 выше полоса пропускания
Спецификации
Полный список технических характеристик
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Kingston 9905625-142.A00G 16GB
Основные характеристики
Тип памяти
DDR3
DDR4
Задержка в PassMark, нс
54
29
Скорость чтения, Гб/сек
9.2
13.8
Скорость записи, Гб/сек
8.1
10.7
Пропускная способность памяти, мбит/сек
12800
19200
Other
Описание
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 6 7 8 9 10 11
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Тайминги / частота
9-9-9-24 / 1600 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Рейтинг PassMark (Чем больше тем лучше)
2105
2737
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB Сравнения RAM
Nanya Technology M2F2G64CB88D7N-CG 2GB
Micron Technology 9JSF51272AZ-1G9P1 4GB
Kingston 9905625-142.A00G 16GB Сравнения RAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Калькулятор задержки (latency) памяти (RAM)
Рассчитать скорость работы памяти RAM в нс
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Последние сравнения
Kingston 9905403-061.A00LF 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA851S6AFR6N
Kingston 99U5595-005.A00LF 2GB
G Skill Intl F4-3466C16-16GTZR 16GB
A-DATA Technology DQKD1A08 1GB
Kllisre 99P5428-002.A00LF 8GB
SK Hynix HMT325S6CFR8C-PB 2GB
A-DATA Technology AO1E34RCTV2-BZWS 32GB
Strontium EVMT8G1600U86S 8GB
Crucial Technology CT8G4DFS6266.M4FB 8GB
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
G Skill Intl F4-4600C18-8GTZR 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD38G16002S 8GB
G Skill Intl F4-5333C22-8GTRG 8GB
Kingston 99P5471-002.A00LF 2GB
Gold Key Technology Co Ltd NMUD416E82-3200D 16GB
Corsair CMD16GX3M4A2666C11 4GB
Corsair CM4X4GF3000C15K4 4GB
Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB
SK Hynix GKE160UD102408-2400 16GB
Kingston 9965516-430.A00G 16GB
Kingston XWM8G1-MIE 32GB
Kingston 9905403-156.A00LF 2GB
Transcend Information TS512MLH64V1H 4GB
Elpida EBJ21UE8BDF0-DJ-F 2GB
Kingston KHX2666C13D4/4GX 4GB
AMD AE34G1601U1 4GB
Crucial Technology CT4G4DFS824A.C8FDD2 4GB
Сообщить об ошибке
×
Bug description
Source link