RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Micron Technology 16JSF25664HZ-1G1F1 2GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GTZR 16GB
Vergleichen Sie
Micron Technology 16JSF25664HZ-1G1F1 2GB vs G Skill Intl F4-3200C16-16GTZR 16GB
Gesamtnote
Micron Technology 16JSF25664HZ-1G1F1 2GB
Gesamtnote
G Skill Intl F4-3200C16-16GTZR 16GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
Micron Technology 16JSF25664HZ-1G1F1 2GB
Einen Fehler melden
Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
29
30
Rund um 3% geringere Latenzzeit
Gründe für die Berücksichtigung
G Skill Intl F4-3200C16-16GTZR 16GB
Einen Fehler melden
Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
18.4
10.5
Durchschnittswert bei den Tests
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
14.8
7.1
Durchschnittswert bei den Tests
Höhere Speicherbandbreite, mbps
17000
8500
Rund um 2 höhere Bandbreite
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
Micron Technology 16JSF25664HZ-1G1F1 2GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GTZR 16GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR3
DDR4
Latenzzeit in PassMark, ns
29
30
Lesegeschwindigkeit, GB/s
10.5
18.4
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
7.1
14.8
Speicherbandbreite, mbps
8500
17000
Other
Beschreibung
PC3-8500, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Timings / Taktgeschwindigkeit
7-7-7-20 / 1066 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
1425
3657
Micron Technology 16JSF25664HZ-1G1F1 2GB RAM-Vergleiche
Netlist N*D1G7A2250BFD53I2 8GB
Crucial Technology BLS8G4D26BFSBK.8FBD 8GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GTZR 16GB RAM-Vergleiche
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Samsung M386B4G70DM0-CMA4 32GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Letzte Vergleiche
Kingston 9965662-016.A00G 16GB
Crucial Technology CT8G4SFS824A.C8FHD1 8GB
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB
Heoriady HX2666CX15D4/4G 4GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB
Crucial Technology BLS16G4D240FSE.16FD 16GB
Micron Technology 16JSF25664HZ-1G1F1 2GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GTZR 16GB
Samsung M3 78T5663RZ3-CF7 2GB
Kingston KHX3200C18D4/8G 8GB
Kingston 9905403-500.A01LF 8GB
Corsair CMT64GX4M4Z3600C18 16GB
Crucial Technology CT25664AA800.M16FG 2GB
G Skill Intl F4-2400C17-8GISM 8GB
Crucial Technology BL8G30C15U4B.M8FE1 8GB
Crucial Technology BL8G30C15U4B.8FE 8GB
SK Hynix HMT31GR7CFR4C-PB 8GB
G Skill Intl F4-2400C15Z8GNT 8GB
Kingston 9965516-049.A00LF 8GB
Kingston HP24D4U7S8MBP-8 8GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB
Crucial Technology BLS8G4D26BFSCK.8FD 8GB
Smart Modular SG564568FG8N6KF-Z2 2GB
Nanya Technology NT8GA64D88CX3S-JR 8GB
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Crucial Technology BLT8G4D32AET4K.M8FE1 8GB
Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD416G21332 16GB
Einen Fehler melden
×
Bug description
Source link