RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Micron Technology 16JSF25664HZ-1G1F1 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GR7AFR8N-UH 16GB
Vergleichen Sie
Micron Technology 16JSF25664HZ-1G1F1 2GB vs Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GR7AFR8N-UH 16GB
Gesamtnote
Micron Technology 16JSF25664HZ-1G1F1 2GB
Gesamtnote
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GR7AFR8N-UH 16GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
Micron Technology 16JSF25664HZ-1G1F1 2GB
Einen Fehler melden
Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
29
35
Rund um 17% geringere Latenzzeit
Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
10.5
10
Durchschnittswert bei den Tests
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
7.1
7.0
Durchschnittswert bei den Tests
Gründe für die Berücksichtigung
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GR7AFR8N-UH 16GB
Einen Fehler melden
Höhere Speicherbandbreite, mbps
19200
8500
Rund um 2.26 höhere Bandbreite
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
Micron Technology 16JSF25664HZ-1G1F1 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GR7AFR8N-UH 16GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR3
DDR4
Latenzzeit in PassMark, ns
29
35
Lesegeschwindigkeit, GB/s
10.5
10.0
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
7.1
7.0
Speicherbandbreite, mbps
8500
19200
Other
Beschreibung
PC3-8500, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Timings / Taktgeschwindigkeit
7-7-7-20 / 1066 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
1425
2068
Micron Technology 16JSF25664HZ-1G1F1 2GB RAM-Vergleiche
Netlist N*D1G7A2250BFD53I2 8GB
Crucial Technology BLS8G4D26BFSBK.8FBD 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GR7AFR8N-UH 16GB RAM-Vergleiche
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
SK Hynix HMA82GS6CJR8N-VK 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Letzte Vergleiche
Micron Technology 16JSF25664HZ-1G1F1 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GR7AFR8N
Kingston 9905403-061.A00LF 2GB
Corsair CMK32GX4M2Z4000C18 16GB
Kingston 99U5584-007.A00LF 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE800SO51216-2400 8GB
A-DATA Technology ADOVE1A0834E 1GB
Crucial Technology CT32G4SFD832A.M16FB 32GB
Peak Electronics 256X64M-67E 2GB
Kingston 9905700-011.A00G 8GB
Corsair CML16GX3M2A1600C10 8GB
Crucial Technology CT16G4SFD8213.C16FDD 16GB
Corsair CML8GX3M2A1866C9 4GB
Kingston 9905622-055.A00G 4GB
Kingston 99U5469-045.A00LF 4GB
InnoDisk Corporation M4S0-8GSSOCIK 8GB
Samsung M393B1G70QH0-YK0 8GB
Crucial Technology BLS16G4D30AESE.M16FE 16GB
Kingston KHX3200C18D4/8G 8GB
Samsung M393A2G40EB2-CTD 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6MFR8A
Apacer Technology GD2.22428S.001 8GB
Wilk Elektronik S.A. GR1333D364L9/4G 4GB
Corsair CMK32GX4M2K3600C16 16GB
Peak Electronics 256X64M-67E 2GB
Crucial Technology BLS8G4S240FSDK.8FBD 8GB
G Skill Intl F3-1333C9-4GIS 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD44G240081S 4GB
Einen Fehler melden
×
Bug description
Source link