RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Micron Technology 16JSF25664HZ-1G1F1 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GR7AFR8N-UH 16GB
Porównaj
Micron Technology 16JSF25664HZ-1G1F1 2GB vs Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GR7AFR8N-UH 16GB
Wynik ogólny
Micron Technology 16JSF25664HZ-1G1F1 2GB
Wynik ogólny
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GR7AFR8N-UH 16GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Micron Technology 16JSF25664HZ-1G1F1 2GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
29
35
Wokół strony 17% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
10.5
10
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
7.1
7.0
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GR7AFR8N-UH 16GB
Zgłoś błąd
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
19200
8500
Wokół strony 2.26 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Micron Technology 16JSF25664HZ-1G1F1 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GR7AFR8N-UH 16GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
29
35
Prędkość odczytu, GB/s
10.5
10.0
Prędkość zapisu, GB/s
7.1
7.0
Szerokość pasma pamięci, mbps
8500
19200
Other
Opis
PC3-8500, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Taktowanie / szybkość zegara
7-7-7-20 / 1066 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
1425
2068
Micron Technology 16JSF25664HZ-1G1F1 2GB Porównanie pamięci RAM
Netlist N*D1G7A2250BFD53I2 8GB
Crucial Technology BLS8G4D26BFSBK.8FBD 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GR7AFR8N-UH 16GB Porównanie pamięci RAM
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
SK Hynix HMA82GS6CJR8N-VK 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
SK Hynix HMA451U6AFR8N-TF 4GB
Samsung M378A2G43AB3-CWE 16GB
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
Crucial Technology BLS8G4D26BFSC.16FE 8GB
Micron Technology 16JSF25664HZ-1G1F1 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GR7AFR8N
Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB
Kingston KYXC0V-MIB 16GB
Ramaxel Technology RMSA3260MD78HAF-2666 8GB
Samsung M471A1G44AB0-CWE 8GB
G Skill Intl F4-4000C14-16GTZR 16GB
Corsair CMU32GX4M4C3000C15 8GB
A-DATA Technology AM2U16BC4P2-B05B 4GB
V-GEN D4R8GL24A8R 8GB
A-DATA Technology DDR2 800G 2GB
Kingston 9905625-142.A00G 16GB
A-DATA Technology AD73I1C1674EV 4GB
Crucial Technology CT8G4DFS824A.M8FH3 8GB
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Micron Technology 18ASF1G72PDZ-2G6E1 8GB
Team Group Inc. Vulcan-1600 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GR7MFR8N
Mushkin 991586 2GB
A-DATA Technology DDR4 3000 2OZ 8GB
A-DATA Technology AD73I1C1674EV 4GB
Crucial Technology CT8G4DFD824A.M16FE 8GB
Kingston 9905403-038.A00LF 4GB
Corsair CMK16GX4M4A2666C15 4GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link