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Micron Technology 16JSF25664HZ-1G1F1 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA451U6MFR8N-TF 4GB
Vergleichen Sie
Micron Technology 16JSF25664HZ-1G1F1 2GB vs Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA451U6MFR8N-TF 4GB
Gesamtnote
Micron Technology 16JSF25664HZ-1G1F1 2GB
Gesamtnote
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA451U6MFR8N-TF 4GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
Micron Technology 16JSF25664HZ-1G1F1 2GB
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Gründe für die Berücksichtigung
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA451U6MFR8N-TF 4GB
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Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
12.2
10.5
Durchschnittswert bei den Tests
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
9.6
7.1
Durchschnittswert bei den Tests
Höhere Speicherbandbreite, mbps
17000
8500
Rund um 2 höhere Bandbreite
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
Micron Technology 16JSF25664HZ-1G1F1 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA451U6MFR8N-TF 4GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR3
DDR4
Latenzzeit in PassMark, ns
29
29
Lesegeschwindigkeit, GB/s
10.5
12.2
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
7.1
9.6
Speicherbandbreite, mbps
8500
17000
Other
Beschreibung
PC3-8500, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16
Timings / Taktgeschwindigkeit
7-7-7-20 / 1066 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
1425
2443
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Frequency (Mhz) *
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Absolute Latency
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