Micron Technology 16JSF25664HZ-1G1F1 2GB
Samsung M378A1G43TB1-CTD 8GB

Micron Technology 16JSF25664HZ-1G1F1 2GB vs Samsung M378A1G43TB1-CTD 8GB

Gesamtnote
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Micron Technology 16JSF25664HZ-1G1F1 2GB

Micron Technology 16JSF25664HZ-1G1F1 2GB

Gesamtnote
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Samsung M378A1G43TB1-CTD 8GB

Samsung M378A1G43TB1-CTD 8GB

Unterschiede

Samsung M378A1G43TB1-CTD 8GB Gründe für die Berücksichtigung
Samsung M378A1G43TB1-CTD 8GB
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  • Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
    28 left arrow 29
    Rund um -4% geringere Latenzzeit
  • Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
    16.6 left arrow 10.5
    Durchschnittswert bei den Tests
  • Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
    13.7 left arrow 7.1
    Durchschnittswert bei den Tests
  • Höhere Speicherbandbreite, mbps
    21300 left arrow 8500
    Rund um 2.51 höhere Bandbreite

Spezifikationen

Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
Micron Technology 16JSF25664HZ-1G1F1 2GB
Samsung M378A1G43TB1-CTD 8GB
Wichtigste Merkmale
  • Speicherart
    DDR3 left arrow DDR4
  • Latenzzeit in PassMark, ns
    29 left arrow 28
  • Lesegeschwindigkeit, GB/s
    10.5 left arrow 16.6
  • Schreibgeschwindigkeit, GB/s
    7.1 left arrow 13.7
  • Speicherbandbreite, mbps
    8500 left arrow 21300
Other
  • Beschreibung
    PC3-8500, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 left arrow PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
  • Timings / Taktgeschwindigkeit
    7-7-7-20 / 1066 MHz left arrow 17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
  • Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
    1425 left arrow 3007
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
RAM 2

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