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Micron Technology 16JSF25664HZ-1G1F1 2GB
Samsung M378A1G43TB1-CTD 8GB
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Micron Technology 16JSF25664HZ-1G1F1 2GB vs Samsung M378A1G43TB1-CTD 8GB
総合得点
Micron Technology 16JSF25664HZ-1G1F1 2GB
総合得点
Samsung M378A1G43TB1-CTD 8GB
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仕様
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考慮すべき理由
Micron Technology 16JSF25664HZ-1G1F1 2GB
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考慮すべき理由
Samsung M378A1G43TB1-CTD 8GB
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PassMarkテストでのレイテンシー以下、ns
28
29
周辺 -4% 低遅延
読み出し速度の高速化、GB/s
16.6
10.5
テスト平均値
書き込み速度の高速化、GB/s
13.7
7.1
テスト平均値
より高いメモリ帯域幅、mbps
21300
8500
周辺 2.51 高帯域
仕様
技術仕様の完全リスト
Micron Technology 16JSF25664HZ-1G1F1 2GB
Samsung M378A1G43TB1-CTD 8GB
主な特徴
メモリータイプ
DDR3
DDR4
PassMarkにおけるレイテンシー、ns
29
28
読み出し速度、GB/s
10.5
16.6
書き込み速度、GB/秒
7.1
13.7
メモリ帯域幅、mbps
8500
21300
Other
商品説明
PC3-8500, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
タイミング / クロック速度
7-7-7-20 / 1066 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
ランキングPassMark(多ければ多いほど良い)
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3007
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Frequency (Mhz) *
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Absolute Latency
0 ns
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