RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Micron Technology 16JTF25664AZ-1G4F1 2GB
Corsair CMSX32GX4M2A3200C22 16GB
Vergleichen Sie
Micron Technology 16JTF25664AZ-1G4F1 2GB vs Corsair CMSX32GX4M2A3200C22 16GB
Gesamtnote
Micron Technology 16JTF25664AZ-1G4F1 2GB
Gesamtnote
Corsair CMSX32GX4M2A3200C22 16GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
Micron Technology 16JTF25664AZ-1G4F1 2GB
Einen Fehler melden
Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
40
41
Rund um 2% geringere Latenzzeit
Gründe für die Berücksichtigung
Corsair CMSX32GX4M2A3200C22 16GB
Einen Fehler melden
Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
16.3
13.6
Durchschnittswert bei den Tests
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
13.5
8.3
Durchschnittswert bei den Tests
Höhere Speicherbandbreite, mbps
25600
10600
Rund um 2.42 höhere Bandbreite
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
Micron Technology 16JTF25664AZ-1G4F1 2GB
Corsair CMSX32GX4M2A3200C22 16GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR3
DDR4
Latenzzeit in PassMark, ns
40
41
Lesegeschwindigkeit, GB/s
13.6
16.3
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
8.3
13.5
Speicherbandbreite, mbps
10600
25600
Other
Beschreibung
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 7 8 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24
Timings / Taktgeschwindigkeit
7-7-7-20 / 1333 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
2035
3146
Micron Technology 16JTF25664AZ-1G4F1 2GB RAM-Vergleiche
Micron Technology 16JTF25664AZ-1G4G1 2GB
Crucial Technology CT16G4DFD8213.16FDD1 16GB
Corsair CMSX32GX4M2A3200C22 16GB RAM-Vergleiche
Samsung M471A4G43AB1-CWE 32GB
Kingston KHX4000C19D4/8GX 8GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Letzte Vergleiche
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
A-DATA Technology DDR4 2666 8GB
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Kingston KHX3000C15D4/8GX 8GB
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
Micron Technology MTA8ATF1G64HZ-2G3B1 16GB
Kingston 9965525-018.A00LF 4GB
Asgard VMA41UG-MEC1U2AW1 8GB
Kingston 9965525-018.A00LF 4GB
Panram International Corporation PUD42133C138G4NJK 8GB
Samsung M393B2G70BH0-YK0 16GB
SK Hynix HMA82GR7AFR4N-VK 16GB
Qimonda 64T128020EDL2.5C2 1GB
Crucial Technology BL16G32C16U4R.16FE 16GB
Samsung M393B2G70BH0-CH9 16GB
Kingston 9905702-400.A00G 8GB
Kingston KHX2133C11D3/4GX 4GB
Apacer Technology 78.BAGM6.40C0B 4GB
Crucial Technology CT51264BD160B.C16F 4GB
Maxsun MSD416G26Q3 16GB
Team Group Inc. UD5-6400 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD48G240081 8GB
Kingston 9905471-071.A00LF 8GB
Mushkin 99[2/7/4]205[F/T] 8GB
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Corsair CM4X4GF2400C16K4 4GB
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMSO480E82-2400 8GB
Einen Fehler melden
×
Bug description
Source link