RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB
Gloway International (HK) STK2400C15-16GB 16GB
Vergleichen Sie
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB vs Gloway International (HK) STK2400C15-16GB 16GB
Gesamtnote
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB
Gesamtnote
Gloway International (HK) STK2400C15-16GB 16GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB
Einen Fehler melden
Gründe für die Berücksichtigung
Gloway International (HK) STK2400C15-16GB 16GB
Einen Fehler melden
Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
23
47
Rund um -104% geringere Latenzzeit
Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
17
11.8
Durchschnittswert bei den Tests
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
12.5
8.0
Durchschnittswert bei den Tests
Höhere Speicherbandbreite, mbps
17000
12800
Rund um 1.33 höhere Bandbreite
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB
Gloway International (HK) STK2400C15-16GB 16GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR3
DDR4
Latenzzeit in PassMark, ns
47
23
Lesegeschwindigkeit, GB/s
11.8
17.0
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
8.0
12.5
Speicherbandbreite, mbps
12800
17000
Other
Beschreibung
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 14 15 16
Timings / Taktgeschwindigkeit
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
2061
3098
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB RAM-Vergleiche
Crucial Technology CT102464BF160B.C16 8GB
Crucial Technology CT102464BF160B.M16 8GB
Gloway International (HK) STK2400C15-16GB 16GB RAM-Vergleiche
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-2666 8GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Letzte Vergleiche
Patriot Memory (PDP Systems) PSD34G16002 4GB
Corsair CMD16GX4M4B3600C18 4GB
SK Hynix HMT325U6BFR8C-H9 2GB
G Skill Intl F4-3200C16-32GTZR 32GB
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB
Crucial Technology CT4G4SFS824A.C8FF 4GB
SK Hynix HMT325S6CFR8C-PB 2GB
G Skill Intl F4-2400C15-8GNT 8GB
Kingston 9905584-016.A00LF 4GB
SK Hynix HMA82GR7MFR4N-UH 16GB
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Kingston KHX3600C17D4/16GX 16GB
A-DATA Technology DDR3 1600 4GB
Kingston 9905702-137.A00G 8GB
Kreton Corporation 51624xxxx68x35xxxx 2GB
Samsung M393A4K40CB1-CRC 32GB
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB
Corsair CMT16GX4M2C3000C15 8GB
Samsung M4 70T5663QZ3-CE6 2GB
Crucial Technology BLS8G4D26BFSTK.8FD 8GB
Kingston 99U5471-030.A00LF 8GB
Kingmax Semiconductor GLLG43F-D8KBGA------ 8GB
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
Corsair CM4X8GF2666C16K4 8GB
Kingston 9905403-011.A03LF 2GB
G Skill Intl F4-4400C19-32GTRS 32GB
Kingston 9905471-006.A01LF 4GB
Corsair CM4B8G1J3000K16W4 8GB
Einen Fehler melden
×
Bug description
Source link