RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB
Gloway International (HK) STK2400C15-16GB 16GB
Comparez
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB vs Gloway International (HK) STK2400C15-16GB 16GB
Note globale
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB
Note globale
Gloway International (HK) STK2400C15-16GB 16GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB
Signaler un bogue
Raisons de considérer
Gloway International (HK) STK2400C15-16GB 16GB
Signaler un bogue
En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
23
47
Autour de -104% latence réduite
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
17
11.8
Valeur moyenne dans les tests
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
12.5
8.0
Valeur moyenne dans les tests
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
17000
12800
Autour de 1.33 bande passante supérieure
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB
Gloway International (HK) STK2400C15-16GB 16GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR3
DDR4
Latence dans PassMark, ns
47
23
Vitesse de lecture, GB/s
11.8
17.0
Vitesse d'écriture, GB/s
8.0
12.5
Largeur de bande de la mémoire, mbps
12800
17000
Other
Description
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 14 15 16
Timings / Vitesse d'horloge
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
2061
3098
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB Comparaison des RAM
Crucial Technology CT102464BF160B.C16 8GB
Crucial Technology CT102464BF160B.M16 8GB
Gloway International (HK) STK2400C15-16GB 16GB Comparaison des RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-2666 8GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Dernières comparaisons
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
Corsair CMU32GX4M4D3000C16 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD34G16002 4GB
G Skill Intl F4-3200C16-4GVKB 4GB
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0AS 4GB
Mushkin MR[ABC]4U266GHHF8G 8GB
Samsung M3 78T5663RZ3-CF7 2GB
Kingston 9965669-017.A00G 16GB
A-DATA Technology ADOVE1A0834E 1GB
Corsair CMK32GX4M4B3866C18 8GB
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
Corsair CMG16GX4M2D3600C18 8GB
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
Micron Technology 16ATF2G64HZ-3G2E1 16GB
Kingston 9965525-155.A00LF 8GB
G Skill Intl F4-4000C18-8GTRS 8GB
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Advantech Co Ltd SQR-UD4N16G2K6SNCB 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Corsair CMD32GX4M4B3866C18 8GB
AMD AE34G2139U2 4GB
Kingston 9965639-002.A01G 8GB
A-DATA Technology AM2L16BC4R1-B0AS 4GB
G Skill Intl F4-2800C15-4GTZ 4GB
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB
Gloway International (HK) STK2400C15-16GB 16GB
Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB
V-GEN D4S8GL32A8TS 8GB
Signaler un bogue
×
Bug description
Source link