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Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB
Gloway International (HK) STK2400C15-16GB 16GB
Comparar
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB vs Gloway International (HK) STK2400C15-16GB 16GB
Pontuação geral
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB
Pontuação geral
Gloway International (HK) STK2400C15-16GB 16GB
Diferenças
Especificações
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Diferenças
Razões a considerar
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB
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Razões a considerar
Gloway International (HK) STK2400C15-16GB 16GB
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Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
23
47
Por volta de -104% menor latência
Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
17
11.8
Valor médio nos testes
Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
12.5
8.0
Valor médio nos testes
Maior largura de banda de memória, mbps
17000
12800
Por volta de 1.33 maior largura de banda
Especificações
Lista completa de especificações técnicas
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB
Gloway International (HK) STK2400C15-16GB 16GB
Características principais
Tipo de memória
DDR3
DDR4
Latência em PassMark, ns
47
23
Velocidade de leitura, GB/s
11.8
17.0
Velocidade de escrita, GB/s
8.0
12.5
Largura de banda de memória, mbps
12800
17000
Other
Descrição
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 14 15 16
Tempos / Velocidade do relógio
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
2061
3098
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB Comparações de RAM
Crucial Technology CT102464BF160B.C16 8GB
Crucial Technology CT102464BF160B.M16 8GB
Gloway International (HK) STK2400C15-16GB 16GB Comparações de RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-2666 8GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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G Skill Intl F4-3400C16-16GVR 16GB
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Kingston LV36D4U1S8HD-8XR 8GB
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G Skill Intl F4-3200C14-8GTZSW 8GB
Samsung M471B5273DH0-CK0 4GB
Micron Technology 36ASF2G72LZ-2G1A1 16GB
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