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Micron Technology 16JTF25664AZ-1G4F1 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GU6AFR8N-TF 8GB
Vergleichen Sie
Micron Technology 16JTF25664AZ-1G4F1 2GB vs Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GU6AFR8N-TF 8GB
Gesamtnote
Micron Technology 16JTF25664AZ-1G4F1 2GB
Gesamtnote
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GU6AFR8N-TF 8GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
Micron Technology 16JTF25664AZ-1G4F1 2GB
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Gründe für die Berücksichtigung
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GU6AFR8N-TF 8GB
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Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
27
40
Rund um -48% geringere Latenzzeit
Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
15.6
13.6
Durchschnittswert bei den Tests
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
11.3
8.3
Durchschnittswert bei den Tests
Höhere Speicherbandbreite, mbps
17000
10600
Rund um 1.6 höhere Bandbreite
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
Micron Technology 16JTF25664AZ-1G4F1 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GU6AFR8N-TF 8GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR3
DDR4
Latenzzeit in PassMark, ns
40
27
Lesegeschwindigkeit, GB/s
13.6
15.6
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
8.3
11.3
Speicherbandbreite, mbps
10600
17000
Other
Beschreibung
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16
Timings / Taktgeschwindigkeit
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
2035
2687
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Absolute Latency
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RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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