RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Micron Technology 16JTF25664AZ-1G4F1 2GB
Micron Technology 18ADF1G72PZ-2G1A1 8GB
Vergleichen Sie
Micron Technology 16JTF25664AZ-1G4F1 2GB vs Micron Technology 18ADF1G72PZ-2G1A1 8GB
Gesamtnote
Micron Technology 16JTF25664AZ-1G4F1 2GB
Gesamtnote
Micron Technology 18ADF1G72PZ-2G1A1 8GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
Micron Technology 16JTF25664AZ-1G4F1 2GB
Einen Fehler melden
Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
13.6
9.2
Durchschnittswert bei den Tests
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
8.3
6.8
Durchschnittswert bei den Tests
Gründe für die Berücksichtigung
Micron Technology 18ADF1G72PZ-2G1A1 8GB
Einen Fehler melden
Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
32
40
Rund um -25% geringere Latenzzeit
Höhere Speicherbandbreite, mbps
17000
10600
Rund um 1.6 höhere Bandbreite
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
Micron Technology 16JTF25664AZ-1G4F1 2GB
Micron Technology 18ADF1G72PZ-2G1A1 8GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR3
DDR4
Latenzzeit in PassMark, ns
40
32
Lesegeschwindigkeit, GB/s
13.6
9.2
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
8.3
6.8
Speicherbandbreite, mbps
10600
17000
Other
Beschreibung
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 18 19
Timings / Taktgeschwindigkeit
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
2035
2017
Micron Technology 16JTF25664AZ-1G4F1 2GB RAM-Vergleiche
Micron Technology 16JTF25664AZ-1G4G1 2GB
Crucial Technology CT16G4DFD8213.16FDD1 16GB
Micron Technology 18ADF1G72PZ-2G1A1 8GB RAM-Vergleiche
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
PNY Electronics PNY 2GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Letzte Vergleiche
Micron Technology 16JTF25664AZ-1G4F1 2GB
Micron Technology 18ADF1G72PZ-2G1A1 8GB
Micron Technology 18HTF12872AY-800F1 1GB
Corsair CMW64GX4M4D3600C18 16GB
Samsung M386B4G70DM0-CMA4 32GB
Kingston 9905743-043.A00G 16GB
Avant Technology F6451U64F9333G 4GB
G Skill Intl F4-4000C19-8GTZSW 8GB
AMD R534G1601U1S-UO 4GB
Kingston 9905663-021.A00G 16GB
SK Hynix HMT41GU7MFR8A-H9 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA851S6AFR6N
Patriot Memory (PDP Systems) PSD38G1600L2S 8GB
Kingston HX424C15FB/16 16GB
Corsair CML16GX3M2A1600C10 8GB
G Skill Intl F4-2666C18-32GRS 32GB
Samsung M471B5273DH0-CH9 4GB
Lenovo 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Transcend Information TS512MSH64V4H 4GB
A-DATA Technology DDR3 1600 4GB
Kingston XG9XKG-MIE 16GB
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Avant Technology W644GU44J2320NH 32GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
G Skill Intl F4-3600C18-32GTRG 32GB
Kingmax Semiconductor FLFE85F-C8KL9 2GB
Team Group Inc. TEAMGROUP-UD4-3733 8GB
Einen Fehler melden
×
Bug description
Source link