Micron Technology 16JTF25664AZ-1G4F1 2GB
Patriot Memory (PDP Systems) 3000 C16 Series 4GB

Micron Technology 16JTF25664AZ-1G4F1 2GB vs Patriot Memory (PDP Systems) 3000 C16 Series 4GB

Gesamtnote
star star star star star
Micron Technology 16JTF25664AZ-1G4F1 2GB

Micron Technology 16JTF25664AZ-1G4F1 2GB

Gesamtnote
star star star star star
Patriot Memory (PDP Systems) 3000 C16 Series 4GB

Patriot Memory (PDP Systems) 3000 C16 Series 4GB

Unterschiede

  • Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
    32 left arrow 40
    Rund um -25% geringere Latenzzeit
  • Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
    16.9 left arrow 13.6
    Durchschnittswert bei den Tests
  • Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
    13.1 left arrow 8.3
    Durchschnittswert bei den Tests
  • Höhere Speicherbandbreite, mbps
    17000 left arrow 10600
    Rund um 1.6 höhere Bandbreite

Spezifikationen

Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
Micron Technology 16JTF25664AZ-1G4F1 2GB
Patriot Memory (PDP Systems) 3000 C16 Series 4GB
Wichtigste Merkmale
  • Speicherart
    DDR3 left arrow DDR4
  • Latenzzeit in PassMark, ns
    40 left arrow 32
  • Lesegeschwindigkeit, GB/s
    13.6 left arrow 16.9
  • Schreibgeschwindigkeit, GB/s
    8.3 left arrow 13.1
  • Speicherbandbreite, mbps
    10600 left arrow 17000
Other
  • Beschreibung
    PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 left arrow PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 18 19
  • Timings / Taktgeschwindigkeit
    7-7-7-20 / 1333 MHz left arrow 14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
  • Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
    2035 left arrow 3222
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
RAM 2

Letzte Vergleiche