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Micron Technology 16JTF25664AZ-1G4F1 2GB
Patriot Memory (PDP Systems) 3000 C16 Series 4GB
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Micron Technology 16JTF25664AZ-1G4F1 2GB vs Patriot Memory (PDP Systems) 3000 C16 Series 4GB
Pontuação geral
Micron Technology 16JTF25664AZ-1G4F1 2GB
Pontuação geral
Patriot Memory (PDP Systems) 3000 C16 Series 4GB
Diferenças
Especificações
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Diferenças
Razões a considerar
Micron Technology 16JTF25664AZ-1G4F1 2GB
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Razões a considerar
Patriot Memory (PDP Systems) 3000 C16 Series 4GB
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Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
32
40
Por volta de -25% menor latência
Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
16.9
13.6
Valor médio nos testes
Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
13.1
8.3
Valor médio nos testes
Maior largura de banda de memória, mbps
17000
10600
Por volta de 1.6 maior largura de banda
Especificações
Lista completa de especificações técnicas
Micron Technology 16JTF25664AZ-1G4F1 2GB
Patriot Memory (PDP Systems) 3000 C16 Series 4GB
Características principais
Tipo de memória
DDR3
DDR4
Latência em PassMark, ns
40
32
Velocidade de leitura, GB/s
13.6
16.9
Velocidade de escrita, GB/s
8.3
13.1
Largura de banda de memória, mbps
10600
17000
Other
Descrição
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 18 19
Tempos / Velocidade do relógio
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
2035
3222
Micron Technology 16JTF25664AZ-1G4F1 2GB Comparações de RAM
Micron Technology 16JTF25664AZ-1G4G1 2GB
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Kingston 9965525-140.A00LF 8GB
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RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Ramaxel Technology RMR5040ED58E9W1600 4GB
Crucial Technology CT16G4SFD824A.M16FB 16GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
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Crucial Technology CT102464BF160B-16F 8GB
Corsair CMD16GX4M4B3000C14 4GB
Samsung M471B1G73DB0-YK0 8GB
Micron Technology 16ATF2G64HZ-2G3H1 16GB
Kingston 99U5584-004.A00LF 4GB
Corsair CMW16GX4M2K4266C19 8GB
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