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Samsung M471B1G73DB0-YK0 8GB
Micron Technology 16ATF2G64HZ-2G3H1 16GB
Comparar
Samsung M471B1G73DB0-YK0 8GB vs Micron Technology 16ATF2G64HZ-2G3H1 16GB
Pontuação geral
Samsung M471B1G73DB0-YK0 8GB
Pontuação geral
Micron Technology 16ATF2G64HZ-2G3H1 16GB
Diferenças
Especificações
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Diferenças
Razões a considerar
Samsung M471B1G73DB0-YK0 8GB
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Razões a considerar
Micron Technology 16ATF2G64HZ-2G3H1 16GB
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Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
41
45
Por volta de -10% menor latência
Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
12.8
11.9
Valor médio nos testes
Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
9.2
8.1
Valor médio nos testes
Maior largura de banda de memória, mbps
19200
12800
Por volta de 1.5 maior largura de banda
Especificações
Lista completa de especificações técnicas
Samsung M471B1G73DB0-YK0 8GB
Micron Technology 16ATF2G64HZ-2G3H1 16GB
Características principais
Tipo de memória
DDR3
DDR4
Latência em PassMark, ns
45
41
Velocidade de leitura, GB/s
11.9
12.8
Velocidade de escrita, GB/s
8.1
9.2
Largura de banda de memória, mbps
12800
19200
Other
Descrição
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21
Tempos / Velocidade do relógio
9-9-9-24 / 1600 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
2077
2238
Samsung M471B1G73DB0-YK0 8GB Comparações de RAM
Crucial Technology CT102464BF160B.C16 8GB
Kingston KTP9W1-MID 16GB
Micron Technology 16ATF2G64HZ-2G3H1 16GB Comparações de RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Kingston 9905471-002.A00LF 2GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Samsung M471B5173EB0-YK0 4GB
G Skill Intl F4-3000C16-8GSXWB 8GB
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
Asgard VMA42UG-MEC1U2AW1 8GB
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
Crucial Technology BLS8G4D26BFSBK.8FBD 8GB
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