RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M471B1G73DB0-YK0 8GB
Micron Technology 16ATF2G64HZ-2G3H1 16GB
Comparez
Samsung M471B1G73DB0-YK0 8GB vs Micron Technology 16ATF2G64HZ-2G3H1 16GB
Note globale
Samsung M471B1G73DB0-YK0 8GB
Note globale
Micron Technology 16ATF2G64HZ-2G3H1 16GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
Samsung M471B1G73DB0-YK0 8GB
Signaler un bogue
Raisons de considérer
Micron Technology 16ATF2G64HZ-2G3H1 16GB
Signaler un bogue
En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
41
45
Autour de -10% latence réduite
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
12.8
11.9
Valeur moyenne dans les tests
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
9.2
8.1
Valeur moyenne dans les tests
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
19200
12800
Autour de 1.5 bande passante supérieure
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
Samsung M471B1G73DB0-YK0 8GB
Micron Technology 16ATF2G64HZ-2G3H1 16GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR3
DDR4
Latence dans PassMark, ns
45
41
Vitesse de lecture, GB/s
11.9
12.8
Vitesse d'écriture, GB/s
8.1
9.2
Largeur de bande de la mémoire, mbps
12800
19200
Other
Description
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21
Timings / Vitesse d'horloge
9-9-9-24 / 1600 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
2077
2238
Samsung M471B1G73DB0-YK0 8GB Comparaison des RAM
Crucial Technology CT102464BF160B.C16 8GB
Kingston KTP9W1-MID 16GB
Micron Technology 16ATF2G64HZ-2G3H1 16GB Comparaison des RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Kingston 9905471-002.A00LF 2GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Dernières comparaisons
Crucial Technology CT25664BA1339.M8FK 2GB
Avant Technology W641GU42J7240NC 8GB
Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB
Kingston XRMWRN-MIE 16GB
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB
Crucial Technology CT8G4DFS8266.K8FB 8GB
Corsair CMY16GX3M4A2133C8 4GB
Micron Technology ILG8GS2400A 8GB
SK Hynix HMT41GU7MFR8A-H9 8GB
SK Hynix HMAA2GS6AJR8N-XN 16GB
Corsair CMZ16GX3M2A1866C10 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2400 16GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Samsung M393A2G40EB1-CRC 16GB
G Skill Intl F5-6400J3239G16G 16GB
Crucial Technology BL16G32C16U4B.M16FE 16GB
Kingston 99U5584-004.A00LF 4GB
Mushkin 99[2/7/4]204F 4GB
SK Hynix HMT351R7EFR8C-RD 4GB
Crucial Technology CT16G4DFD8213.M16FB 16GB
Kingston 99U5584-004.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-2666C15-8GVK 8GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Corsair CM4B8G2J2133A15S 8GB
Kingston KF552C40-16 16GB
Kingston 9905622-024.A00G 4GB
SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB
Shenzhen Xingmem Technology Corp KRE-D4U2400M/4G 4GB
Signaler un bogue
×
Bug description
Source link