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Samsung M471B1G73DB0-YK0 8GB
Micron Technology 16ATF2G64HZ-2G3H1 16GB
比较
Samsung M471B1G73DB0-YK0 8GB vs Micron Technology 16ATF2G64HZ-2G3H1 16GB
总分
Samsung M471B1G73DB0-YK0 8GB
总分
Micron Technology 16ATF2G64HZ-2G3H1 16GB
差异
规格
评论
差异
需要考虑的原因
Samsung M471B1G73DB0-YK0 8GB
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需要考虑的原因
Micron Technology 16ATF2G64HZ-2G3H1 16GB
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低于PassMark测试中的延时,ns
41
45
左右 -10% 更低的延时
更快的读取速度,GB/s
12.8
11.9
测试中的平均数值
更快的写入速度,GB/s
9.2
8.1
测试中的平均数值
更高的内存带宽,mbps
19200
12800
左右 1.5 更高的带宽
规格
完整的技术规格清单
Samsung M471B1G73DB0-YK0 8GB
Micron Technology 16ATF2G64HZ-2G3H1 16GB
主要特点
存储器类型
DDR3
DDR4
PassMark中的延时,ns
45
41
读取速度,GB/s
11.9
12.8
写入速度,GB/s
8.1
9.2
内存带宽,mbps
12800
19200
Other
描述
PC3-12800, 1.5V, 1.35V , CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21
时序/时钟速度
9-9-9-24 / 1600 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
排名PassMark (越多越好)
2077
2238
Samsung M471B1G73DB0-YK0 8GB RAM的比较
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Kingston 9905471-002.A00LF 2GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Crucial Technology CT8G4SFS824A.M8FJ 8GB
Wilk Elektronik S.A. GY1866D364L9A/4G 4GB
G Skill Intl F4-3600C17-8GTZ 8GB
Kingston 9965433-034.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-3200C15-8GTZSW 8GB
Apacer Technology 78.01G86.9H50C 1GB
Apacer Technology GD2.1140CH.001 4GB
SK Hynix HMT42GR7AFR4A-PB 16GB
Gloway International Co. Ltd. TYP4U3200E16082C 8GB
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Crucial Technology BLS16G4D240FSC.16FAD 16GB
SK Hynix HMT151R7TFR4C-H9 4GB
Ramaxel Technology RMSA3320ME88HBF-3200 16GB
Kingston 99U5584-001.A00LF 4GB
Crucial Technology CT8G4DFS8266.C8FJ 8GB
Elpida EBJ40EG8BFWB-JS-F 4GB
G Skill Intl F4-2400C15-16GVR 16GB
A-DATA Technology AM2U16BC4P2-B05B 4GB
Kingston 9905663-008.A00G 16GB
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) 2666 C18 Series 16GB
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