RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Micron Technology 16JTF25664AZ-1G4F1 2GB
Samsung M393A2G40EB1-CPB 16GB
Vergleichen Sie
Micron Technology 16JTF25664AZ-1G4F1 2GB vs Samsung M393A2G40EB1-CPB 16GB
Gesamtnote
Micron Technology 16JTF25664AZ-1G4F1 2GB
Gesamtnote
Samsung M393A2G40EB1-CPB 16GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
Micron Technology 16JTF25664AZ-1G4F1 2GB
Einen Fehler melden
Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
40
56
Rund um 29% geringere Latenzzeit
Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
13.6
9.3
Durchschnittswert bei den Tests
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
8.3
7.7
Durchschnittswert bei den Tests
Gründe für die Berücksichtigung
Samsung M393A2G40EB1-CPB 16GB
Einen Fehler melden
Höhere Speicherbandbreite, mbps
17000
10600
Rund um 1.6 höhere Bandbreite
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
Micron Technology 16JTF25664AZ-1G4F1 2GB
Samsung M393A2G40EB1-CPB 16GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR3
DDR4
Latenzzeit in PassMark, ns
40
56
Lesegeschwindigkeit, GB/s
13.6
9.3
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
8.3
7.7
Speicherbandbreite, mbps
10600
17000
Other
Beschreibung
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Timings / Taktgeschwindigkeit
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
2035
2200
Micron Technology 16JTF25664AZ-1G4F1 2GB RAM-Vergleiche
Micron Technology 16JTF25664AZ-1G4G1 2GB
Crucial Technology CT16G4DFD8213.16FDD1 16GB
Samsung M393A2G40EB1-CPB 16GB RAM-Vergleiche
Kingston 99U5403-036.A00G 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Letzte Vergleiche
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT42GR7MFR4A
Crucial Technology BL8G24C16U4B.8FD 8GB
AMD AE34G1601U1 4GB
G Skill Intl F4-3600C19-8GVSB 8GB
SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB
Crucial Technology CT8G4DFS832A.C8FE 8GB
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
Corsair CMK64GX4M2E3200C16 32GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Kingston 9905702-400.A00G 8GB
Samsung M393B2G70BH0-CH9 16GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSE.M16FAD 8GB
AMD AE34G2139U2 4GB
Kingston 9965669-005.A01G 16GB
EVGA 16G-D3-1600-MR 8GB
Wilk Elektronik S.A. IRX3000D464L16/16G 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Team Group Inc. TEAMGROUP-UD4-3600 8GB
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
Corsair CMW128GX4M8X3600C18 16GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology CT8G4SFS824A.C8FAD1 8GB
Kingston 9965516-481.A00LF 16GB
Corsair CMK64GX4M2D3600C18 32GB
Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB
Kingston HP24D4U7S8MBP-8 8GB
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
Transcend Information AQD-SD4U4GN21-SG 4GB
Einen Fehler melden
×
Bug description
Source link