RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Micron Technology 16JTF25664AZ-1G4F1 2GB
Samsung M393A2G40EB1-CPB 16GB
Porównaj
Micron Technology 16JTF25664AZ-1G4F1 2GB vs Samsung M393A2G40EB1-CPB 16GB
Wynik ogólny
Micron Technology 16JTF25664AZ-1G4F1 2GB
Wynik ogólny
Samsung M393A2G40EB1-CPB 16GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Micron Technology 16JTF25664AZ-1G4F1 2GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
40
56
Wokół strony 29% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
13.6
9.3
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
8.3
7.7
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
Samsung M393A2G40EB1-CPB 16GB
Zgłoś błąd
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
17000
10600
Wokół strony 1.6 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Micron Technology 16JTF25664AZ-1G4F1 2GB
Samsung M393A2G40EB1-CPB 16GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
40
56
Prędkość odczytu, GB/s
13.6
9.3
Prędkość zapisu, GB/s
8.3
7.7
Szerokość pasma pamięci, mbps
10600
17000
Other
Opis
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Taktowanie / szybkość zegara
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2035
2200
Micron Technology 16JTF25664AZ-1G4F1 2GB Porównanie pamięci RAM
Micron Technology 16JTF25664AZ-1G4G1 2GB
Crucial Technology CT16G4DFD8213.16FDD1 16GB
Samsung M393A2G40EB1-CPB 16GB Porównanie pamięci RAM
Kingston 99U5403-036.A00G 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Smart Modular SH564128FH8NZQNSCG 4GB
SK Hynix HMA81GU6JJR8N-VK 8GB
Micron Technology 16JTF25664AZ-1G4F1 2GB
Samsung M393A2G40EB1-CPB 16GB
Corsair CMSX4GX3M1A1600C9 4GB
Kingston 9905625-030.A00G 8GB
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB
Neo Forza GKE160SO204808-3200 16GB
Strontium EVMT8G1600U86S 8GB
Crucial Technology BLT8G4D26BFT4K.C8FD 8GB
Samsung M392B2G70DM0-YH9 16GB
Samsung M393B1K70DH0-YH9 8GB
Kingston 9965516-430.A00G 16GB
Micron Technology 9ASF1G72PZ-2G9E1 8GB
Lexar Co Limited LD4AU016G-H3200GST 16GB
Corsair CMK16GX4M2K4266C16 8GB
Wilk Elektronik S.A. GY1866D364L9A/4G 4GB
Kingston 9905678-110.A00G 8GB
Kingston 9965525-140.A00LF 8GB
Micron Technology 18ASF2G72PDZ-2G6H1R 16GB
Kingston 9905403-134.A00LF 2GB
Kingston Kingston2GB800 2GB
Kingston KVT8FP-HYC 4GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSA.M8FADM 4GB
A-DATA Technology DDR3 1866 2OZ 4GB
Transcend Information TS2GLH64V6B 16GB
Lexar Co Limited LD4AU016G-H3200GST 16GB
Crucial Technology CT16G4SFD832A.C16FP 16GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link