RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Micron Technology 16JTF25664AZ-1G4F1 2GB
Samsung M471A1G43EB1-CPB 8GB
Vergleichen Sie
Micron Technology 16JTF25664AZ-1G4F1 2GB vs Samsung M471A1G43EB1-CPB 8GB
Gesamtnote
Micron Technology 16JTF25664AZ-1G4F1 2GB
Gesamtnote
Samsung M471A1G43EB1-CPB 8GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
Micron Technology 16JTF25664AZ-1G4F1 2GB
Einen Fehler melden
Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
40
45
Rund um 11% geringere Latenzzeit
Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
13.6
11.6
Durchschnittswert bei den Tests
Gründe für die Berücksichtigung
Samsung M471A1G43EB1-CPB 8GB
Einen Fehler melden
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
8.5
8.3
Durchschnittswert bei den Tests
Höhere Speicherbandbreite, mbps
17000
10600
Rund um 1.6 höhere Bandbreite
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
Micron Technology 16JTF25664AZ-1G4F1 2GB
Samsung M471A1G43EB1-CPB 8GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR3
DDR4
Latenzzeit in PassMark, ns
40
45
Lesegeschwindigkeit, GB/s
13.6
11.6
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
8.3
8.5
Speicherbandbreite, mbps
10600
17000
Other
Beschreibung
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Timings / Taktgeschwindigkeit
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
2035
2036
Micron Technology 16JTF25664AZ-1G4F1 2GB RAM-Vergleiche
Micron Technology 16JTF25664AZ-1G4G1 2GB
Crucial Technology CT16G4DFD8213.16FDD1 16GB
Samsung M471A1G43EB1-CPB 8GB RAM-Vergleiche
Kingston 9965525-155.A00LF 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Letzte Vergleiche
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
G Skill Intl F4-4000C18-32GTZN 32GB
SK Hynix HMT325S6CFR8C-H9 2GB
G Skill Intl F4-4000C19-4GVK 4GB
AMD R5S38G1601U2S 8GB
Crucial Technology CT8G4DFD824A.C16FADP 8GB
Avant Technology F641GU67F9333G 8GB
Mushkin 992018 (997018) 8GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Corsair CMW16GX4M1Z3600C18 16GB
Samsung M471B5273DH0-CH9 4GB
Crucial Technology CT8G4DFS6266.M4FB 8GB
Kingmax Semiconductor FLFE85F-C8KM9 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT125U6
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
Corsair CMK32GX4M2C3200C18 16GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
V-Color Technology Inc. TD416G26D819-VC 16GB
Kingston 9965525-144.A00LF 8GB
Corsair CMK64GX4M8A2133C13 8GB
AMD R5316G1609U2K 8GB
Kingston 9965643-006.A01G 8GB
Ramos Technology EWB8GB681CA3-16IC 8GB
Kingston 9905700-025.A00G 8GB
Kingston 99U5584-001.A00LF 4GB
Crucial Technology BLS16G4D26BFSE.16FBD 16GB
SK Hynix HYMP125U64CP8-S6 2GB
Samsung M393A2K40BB1-CRC 16GB
Einen Fehler melden
×
Bug description
Source link