RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Micron Technology 16JTF25664AZ-1G4F1 2GB
Terabyte Co Ltd RCX2-16G3000R 8GB
Vergleichen Sie
Micron Technology 16JTF25664AZ-1G4F1 2GB vs Terabyte Co Ltd RCX2-16G3000R 8GB
Gesamtnote
Micron Technology 16JTF25664AZ-1G4F1 2GB
Gesamtnote
Terabyte Co Ltd RCX2-16G3000R 8GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
Micron Technology 16JTF25664AZ-1G4F1 2GB
Einen Fehler melden
Gründe für die Berücksichtigung
Terabyte Co Ltd RCX2-16G3000R 8GB
Einen Fehler melden
Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
20
40
Rund um -100% geringere Latenzzeit
Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
19.5
13.6
Durchschnittswert bei den Tests
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
15.8
8.3
Durchschnittswert bei den Tests
Höhere Speicherbandbreite, mbps
17000
10600
Rund um 1.6 höhere Bandbreite
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
Micron Technology 16JTF25664AZ-1G4F1 2GB
Terabyte Co Ltd RCX2-16G3000R 8GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR3
DDR4
Latenzzeit in PassMark, ns
40
20
Lesegeschwindigkeit, GB/s
13.6
19.5
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
8.3
15.8
Speicherbandbreite, mbps
10600
17000
Other
Beschreibung
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 14 15 16
Timings / Taktgeschwindigkeit
7-7-7-20 / 1333 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
2035
3483
Micron Technology 16JTF25664AZ-1G4F1 2GB RAM-Vergleiche
Micron Technology 16JTF25664AZ-1G4G1 2GB
Crucial Technology CT16G4DFD8213.16FDD1 16GB
Terabyte Co Ltd RCX2-16G3000R 8GB RAM-Vergleiche
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Letzte Vergleiche
Micron Technology 16JTF25664AZ-1G4F1 2GB
Terabyte Co Ltd RCX2-16G3000R 8GB
Kingston HP669238-071-HYC 4GB
Kingston 9905665-017.A00G 4GB
Crucial Technology CT51264AC800.C16FC 4GB
Team Group Inc. TEAMGROUP-UD4-4500 8GB
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GU6AFR8N
Kingmax Semiconductor FLFE85F-C8KM9 2GB
Corsair CMW16GX4M2D3600C16 8GB
Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB
G Skill Intl F4-4800C19-8GTESC 8GB
SK Hynix HMT425S6CFR6A-PB 2GB
Patriot Memory (PDP Systems) 3600 C18 Series 32GB
Crucial Technology CT51264AC800.C16FC 4GB
Kingston MSI24D4S7D8MHMH6 16GB
Crucial Technology CT25664AA800.M16FG 2GB
Samsung M471A1K43EB1-CWE 8GB
AMD AE34G1601U1 4GB
Micron Technology AFSD416ES1P 16GB
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
Apacer Technology 76.D305G.D060B 16GB
SK Hynix HMT325U6CFR8C-PB 2GB
Kingston 9905704-007.A00G 4GB
Samsung M395T5750EZ4-CE66 2GB
Corsair MK16GX4M2B3200C16 8GB
Elpida EBJ81UG8BBU0-GN-F 8GB
Hyundai Inc GR26C16S8K2HU416 8GB
Einen Fehler melden
×
Bug description
Source link