RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Micron Technology 16JTF25664AZ-1G4F1 2GB
Wilk Elektronik S.A. GX2426D464S/8GSBS2 8GB
Vergleichen Sie
Micron Technology 16JTF25664AZ-1G4F1 2GB vs Wilk Elektronik S.A. GX2426D464S/8GSBS2 8GB
Gesamtnote
Micron Technology 16JTF25664AZ-1G4F1 2GB
Gesamtnote
Wilk Elektronik S.A. GX2426D464S/8GSBS2 8GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
Micron Technology 16JTF25664AZ-1G4F1 2GB
Einen Fehler melden
Gründe für die Berücksichtigung
Wilk Elektronik S.A. GX2426D464S/8GSBS2 8GB
Einen Fehler melden
Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
19
40
Rund um -111% geringere Latenzzeit
Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
19.4
13.6
Durchschnittswert bei den Tests
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
14.5
8.3
Durchschnittswert bei den Tests
Höhere Speicherbandbreite, mbps
19200
10600
Rund um 1.81 höhere Bandbreite
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
Micron Technology 16JTF25664AZ-1G4F1 2GB
Wilk Elektronik S.A. GX2426D464S/8GSBS2 8GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR3
DDR4
Latenzzeit in PassMark, ns
40
19
Lesegeschwindigkeit, GB/s
13.6
19.4
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
8.3
14.5
Speicherbandbreite, mbps
10600
19200
Other
Beschreibung
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 15
Timings / Taktgeschwindigkeit
7-7-7-20 / 1333 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
2035
3290
Micron Technology 16JTF25664AZ-1G4F1 2GB RAM-Vergleiche
Micron Technology 16JTF25664AZ-1G4G1 2GB
Crucial Technology CT16G4DFD8213.16FDD1 16GB
Wilk Elektronik S.A. GX2426D464S/8GSBS2 8GB RAM-Vergleiche
Kingston 9965525-140.A00LF 8GB
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Letzte Vergleiche
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6MFR8A
GIGA - BYTE Technology Co Ltd AR36C18S8K2HU416R 8GB
Crucial Technology BLT2G3D1608DT1TX0 2GB
Corsair CMK32GX4M2D3000C16 16GB
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
Wilk Elektronik S.A. GR3200S464L22/16G 16GB
SK Hynix HMT151R7TFR4C-H9 4GB
G Skill Intl F4-3200C14-32GTRG 32GB
Smart Modular SG564568FG8N6KF-Z2 2GB
Crucial Technology CB8GU2666.C8ET 8GB
Apacer Technology 78.01GA0.9K5 1GB
Micron Technology 4ATF1G64HZ-3G2E2 8GB
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
Essencore Limited IM44GU48N28-GGGHM 4GB
Ramos Technology RMB4GB58BCA3-13HC 4GB
Kingston 9905630-031.A00G 16GB
G Skill Intl F5-5600J4040C16G 16GB
Avant Technology J642GU42J2320NQ 16GB
SK Hynix HMT325U6CFR8C-PB 2GB
Crucial Technology CT4G4DFS824A.C8FADP 4GB
Kreton Corporation 51624xxxx68x35xxxx 2GB
Wilk Elektronik S.A. GR3200S464L22S/8G 8GB
Micron Technology 16JSF25664HZ-1G1F1 2GB
Corsair CMK128GX4M8B3000C16 16GB
Crucial Technology CT51264AC800.C16FC 4GB
Wilk Elektronik S.A. IRP4000D4V64L18S/8G 8GB
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Corsair CMK32GX4M4A2666C15 8GB
Einen Fehler melden
×
Bug description
Source link