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Micron Technology 16JTF25664AZ-1G4F1 2GB
Wilk Elektronik S.A. GX2426D464S/8GSBS2 8GB
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Micron Technology 16JTF25664AZ-1G4F1 2GB vs Wilk Elektronik S.A. GX2426D464S/8GSBS2 8GB
Pontuação geral
Micron Technology 16JTF25664AZ-1G4F1 2GB
Pontuação geral
Wilk Elektronik S.A. GX2426D464S/8GSBS2 8GB
Diferenças
Especificações
Comentários
Diferenças
Razões a considerar
Micron Technology 16JTF25664AZ-1G4F1 2GB
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Razões a considerar
Wilk Elektronik S.A. GX2426D464S/8GSBS2 8GB
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Abaixo da latência nos testes do PassMark, ns
19
40
Por volta de -111% menor latência
Velocidade de leitura mais rápida, GB/s
19.4
13.6
Valor médio nos testes
Velocidade de escrita mais rápida, GB/s
14.5
8.3
Valor médio nos testes
Maior largura de banda de memória, mbps
19200
10600
Por volta de 1.81 maior largura de banda
Especificações
Lista completa de especificações técnicas
Micron Technology 16JTF25664AZ-1G4F1 2GB
Wilk Elektronik S.A. GX2426D464S/8GSBS2 8GB
Características principais
Tipo de memória
DDR3
DDR4
Latência em PassMark, ns
40
19
Velocidade de leitura, GB/s
13.6
19.4
Velocidade de escrita, GB/s
8.3
14.5
Largura de banda de memória, mbps
10600
19200
Other
Descrição
PC3-10600, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 15
Tempos / Velocidade do relógio
7-7-7-20 / 1333 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (Quanto mais, melhor)
2035
3290
Micron Technology 16JTF25664AZ-1G4F1 2GB Comparações de RAM
Micron Technology 16JTF25664AZ-1G4G1 2GB
Crucial Technology CT16G4DFD8213.16FDD1 16GB
Wilk Elektronik S.A. GX2426D464S/8GSBS2 8GB Comparações de RAM
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Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
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RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
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Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
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Crucial Technology CT16G4DFD8213.M16FB 16GB
Kingston ACR16D3LU1MNG/8G 8GB
Kingston 9905625-152.A00G 16GB
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
Crucial Technology BL8G30C15U4B.M8FE1 8GB
Kingston 99U5474-023.A00LF 4GB
Crucial Technology CT16G4SFD832A.C16FP 16GB
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