RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB
A-DATA Technology DDR4 3200 2OZ 4GB
Vergleichen Sie
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB vs A-DATA Technology DDR4 3200 2OZ 4GB
Gesamtnote
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB
Gesamtnote
A-DATA Technology DDR4 3200 2OZ 4GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB
Einen Fehler melden
Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
28
29
Rund um 3% geringere Latenzzeit
Gründe für die Berücksichtigung
A-DATA Technology DDR4 3200 2OZ 4GB
Einen Fehler melden
Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
17.2
12.9
Durchschnittswert bei den Tests
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
13.8
9.0
Durchschnittswert bei den Tests
Höhere Speicherbandbreite, mbps
17000
12800
Rund um 1.33 höhere Bandbreite
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB
A-DATA Technology DDR4 3200 2OZ 4GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR3
DDR4
Latenzzeit in PassMark, ns
28
29
Lesegeschwindigkeit, GB/s
12.9
17.2
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
9.0
13.8
Speicherbandbreite, mbps
12800
17000
Other
Beschreibung
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16
Timings / Taktgeschwindigkeit
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
2112
3409
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB RAM-Vergleiche
SK Hynix HMT351S6CFR8C-PB 4GB
Kingston 99U5663-007.A00G 16GB
A-DATA Technology DDR4 3200 2OZ 4GB RAM-Vergleiche
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Letzte Vergleiche
Nanya Technology M2F4G64CB8HB9N-CG 4GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-2666 CL15 4GB 4GB
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB
A-DATA Technology DDR4 3200 2OZ 4GB
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Chun Well Technology Holding Limited CL22-22-22 D4-3200
Kingston 99U5474-038.A00LF 4GB
Micron Technology CT8G4DFD8213.16FA2 8GB
Corsair CMY8GX3M2A2666C10 4GB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G2G1 8GB
SpecTek Incorporated ?????????????????? 2GB
Crucial Technology CT16G4SFRA266.C8FE 16GB
Elpida EBJ21UE8BDF0-DJ-F 2GB
Corsair CMR32GX4M4D3000C16 8GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Micron Technology 36ASF2G72PZ-2G1A2 16GB
Samsung M471B5273DH0-CK0 4GB
Crucial Technology CT16G4SFD8213.C16FAD 16GB
Kingston KP223C-ELD 2GB
Apacer Technology GD2.1140CH.001 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD22G8002 2GB
Micron Technology 16ATF2G64HZ-2G1A1 16GB
G Skill Intl F3-2133C9-4GAB 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160UD10240
Patriot Memory (PDP Systems) PSD38G1600L2S 8GB
G Skill Intl F4-3200C15-16GVR 16GB
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB
Mushkin MRX4U300GJJM16G 16GB
Einen Fehler melden
×
Bug description
Source link