RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
À propos du site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB
A-DATA Technology DDR4 3200 2OZ 4GB
Comparez
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB vs A-DATA Technology DDR4 3200 2OZ 4GB
Note globale
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB
Note globale
A-DATA Technology DDR4 3200 2OZ 4GB
Différences
Spécifications
Commentaires
Différences
Raisons de considérer
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB
Signaler un bogue
En dessous de la latence dans les tests PassMark, ns
28
29
Autour de 3% latence réduite
Raisons de considérer
A-DATA Technology DDR4 3200 2OZ 4GB
Signaler un bogue
Vitesse de lecture plus rapide, GB/s
17.2
12.9
Valeur moyenne dans les tests
Vitesse d'écriture plus rapide, GB/s
13.8
9.0
Valeur moyenne dans les tests
Bande passante mémoire plus élevée, mbps
17000
12800
Autour de 1.33 bande passante supérieure
Spécifications
Liste complète des spécifications techniques
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB
A-DATA Technology DDR4 3200 2OZ 4GB
Principales caractéristiques
Type de mémoire
DDR3
DDR4
Latence dans PassMark, ns
28
29
Vitesse de lecture, GB/s
12.9
17.2
Vitesse d'écriture, GB/s
9.0
13.8
Largeur de bande de la mémoire, mbps
12800
17000
Other
Description
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16
Timings / Vitesse d'horloge
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Classement PassMark (Plus il y en a, mieux c'est)
2112
3409
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB Comparaison des RAM
SK Hynix HMT351S6CFR8C-PB 4GB
Kingston 99U5663-007.A00G 16GB
A-DATA Technology DDR4 3200 2OZ 4GB Comparaison des RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Dernières comparaisons
Kingston 9905469-124.A00LF 4GB
A-DATA Technology AO1P32NCSV1-BEWS 16GB
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB
A-DATA Technology DDR4 3200 2OZ 4GB
Kingmax Semiconductor FLFE85F-C8KM9 2GB
Crucial Technology BLT8G4D30AETA.K16FD 8GB
A-DATA Technology AD73I1B1672EG 2GB
Crucial Technology CT8G4DFD8213.C16FBD2 8GB
Samsung M4 70T5663CZ3-CE6 2GB
Samsung V-GeN D4S4GL32A8TL 4GB
Elpida EBJ40EG8BFWB-JS-F 4GB
Panram International Corporation PUD42400C154GNJW 4GB
Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB
Crucial Technology BLS8G4D32AESBK.M8FE 8GB
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Essencore Limited KD48GU481-26N1600 8GB
Team Group Inc. Vulcan-1600 4GB
Kingston M378A1K43CB2-CRC 8GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
G Skill Intl F4-3600C16-16GTZN 16GB
Kingston 99U5584-004.A00LF 4GB
Hong Kong Hyunion Electronics DDR4 3200 2OZ 16GB
Apacer Technology 78.01G86.9H50C 1GB
Crucial Technology BL16G36C16U4B.M8FB1 16GB
Kingston 99U5584-004.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-2933C16-16GFX 16GB
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
Team Group Inc. 16GB
Signaler un bogue
×
Bug description
Source link