RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB
AMD R744G2400U1S-UO 4GB
Vergleichen Sie
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB vs AMD R744G2400U1S-UO 4GB
Gesamtnote
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB
Gesamtnote
AMD R744G2400U1S-UO 4GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB
Einen Fehler melden
Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
28
66
Rund um 58% geringere Latenzzeit
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
9.0
8.5
Durchschnittswert bei den Tests
Gründe für die Berücksichtigung
AMD R744G2400U1S-UO 4GB
Einen Fehler melden
Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
16.7
12.9
Durchschnittswert bei den Tests
Höhere Speicherbandbreite, mbps
17000
12800
Rund um 1.33 höhere Bandbreite
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB
AMD R744G2400U1S-UO 4GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR3
DDR4
Latenzzeit in PassMark, ns
28
66
Lesegeschwindigkeit, GB/s
12.9
16.7
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
9.0
8.5
Speicherbandbreite, mbps
12800
17000
Other
Beschreibung
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 18 19
Timings / Taktgeschwindigkeit
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
2112
1912
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB RAM-Vergleiche
SK Hynix HMT351S6CFR8C-PB 4GB
Kingston 99U5663-007.A00G 16GB
AMD R744G2400U1S-UO 4GB RAM-Vergleiche
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
SK Hynix HYMP31GF72CMP4D5Y5 8GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Letzte Vergleiche
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB
AMD R744G2400U1S-UO 4GB
G Skill Intl F5-6400J3239G16G 16GB
G Skill Intl F4-2400C17-8GNT 8GB
Kingston 9905403-437.A01LF 4GB
A-DATA Technology AO1P26KC8T1-BXFSHC 8GB
SK Hynix DDR2 800 2G 2GB
G Skill Intl F4-3200C15-16GVR 16GB
Corsair CMX4GX3M2A1600C9 2GB
G Skill Intl F4-4600C18-8GTRS 8GB
A-DATA Technology DDR3 1333G 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GR7MFR8N
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
Corsair CMK16GX4M2D2666C16 8GB
Kingston 99U5584-005.A00LF 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA451R7MFR8N
Samsung M391B5673FH0-CH9 2GB
Essencore Limited KD48GU880-32A160X 8GB
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
Inmos + 256MB
Kingston 9905471-006.A01LF 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) 2666 C18 Series 16GB
Kingston 99U5469-045.A00LF 4GB
GIGA - BYTE Technology Co Ltd AR32C16S8K2SU416R 8GB
Crucial Technology CT51264BD160B.C16F 4GB
G Skill Intl F4-3866C18-8GTZSW 8GB
SK Hynix HMT42GR7AFR4A-PB 16GB
Golden Empire CL18-20-20 D4-3000 8GB
Einen Fehler melden
×
Bug description
Source link