RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB
AMD R744G2400U1S-UO 4GB
Porównaj
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB vs AMD R744G2400U1S-UO 4GB
Wynik ogólny
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB
Wynik ogólny
AMD R744G2400U1S-UO 4GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
28
66
Wokół strony 58% niższe opóźnienia
Większa szybkość zapisu, GB/s
9.0
8.5
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
AMD R744G2400U1S-UO 4GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
16.7
12.9
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
17000
12800
Wokół strony 1.33 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB
AMD R744G2400U1S-UO 4GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR3
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
28
66
Prędkość odczytu, GB/s
12.9
16.7
Prędkość zapisu, GB/s
9.0
8.5
Szerokość pasma pamięci, mbps
12800
17000
Other
Opis
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 18 19
Taktowanie / szybkość zegara
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2112
1912
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB Porównanie pamięci RAM
SK Hynix HMT351S6CFR8C-PB 4GB
Kingston 99U5663-007.A00G 16GB
AMD R744G2400U1S-UO 4GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
SK Hynix HYMP31GF72CMP4D5Y5 8GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Crucial Technology CT16G4DFD832A.C16FN 16GB
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB
AMD R744G2400U1S-UO 4GB
Kingston 9905471-002.A00LF 2GB
OCMEMORY OCM2933CL16-16GBH 16GB
Kingston 99U5474-010.A00LF 2GB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G3B1 8GB
SpecTek Incorporated ?????????????????? 2GB
G Skill Intl F4-3200C14-8GVR 8GB
G Skill Intl F4-4000C14-16GTZR 16GB
Micron Technology 8ATF51264AZ-2G1B1 4GB
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
Cortus SAS 8ATF51264AZ-2G1A1 4GB
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Crucial Technology CT16G4DFRA266.C8FB 16GB
Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB
Crucial Technology BLS8G4D30BESBK.8FD 8GB
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Crucial Technology CT8G4DFD8213.C16FAR2 8GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Kingston 9965604-008.C00G 8GB
SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB
Dust Leopard DDR4-2400 C17 8GB 8GB
G Skill Intl F3-1866C8-8GTX 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD44G266641 4GB
Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD48G266681 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link