RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB
G Skill Intl F4-3600C16-8GTRGC 8GB
Vergleichen Sie
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB vs G Skill Intl F4-3600C16-8GTRGC 8GB
Gesamtnote
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB
Gesamtnote
G Skill Intl F4-3600C16-8GTRGC 8GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB
Einen Fehler melden
Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
28
30
Rund um 7% geringere Latenzzeit
Gründe für die Berücksichtigung
G Skill Intl F4-3600C16-8GTRGC 8GB
Einen Fehler melden
Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
18.7
12.9
Durchschnittswert bei den Tests
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
12.5
9.0
Durchschnittswert bei den Tests
Höhere Speicherbandbreite, mbps
17000
12800
Rund um 1.33 höhere Bandbreite
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB
G Skill Intl F4-3600C16-8GTRGC 8GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR3
DDR4
Latenzzeit in PassMark, ns
28
30
Lesegeschwindigkeit, GB/s
12.9
18.7
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
9.0
12.5
Speicherbandbreite, mbps
12800
17000
Other
Beschreibung
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Timings / Taktgeschwindigkeit
9-9-9-24 / 1600 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
2112
2947
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB RAM-Vergleiche
SK Hynix HMT351S6CFR8C-PB 4GB
Kingston 99U5663-007.A00G 16GB
G Skill Intl F4-3600C16-8GTRGC 8GB RAM-Vergleiche
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Letzte Vergleiche
Kingston SNY1600S11-4G-EDEG 4GB
Wilk Elektronik S.A. IRH2666D464L19S/8G 8GB
G Skill Intl F3-2666C12-8GTXD 8GB
Essencore Limited KD48GU880-32A160U 8GB
Ramaxel Technology RMR5040ED58E9W1600 4GB
Kingston 9965589-024.D01G 16GB
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Gloway International Co. Ltd. WAR4U2666D19161C-S 16GB
Kingston 9905469-124.A00LF 4GB
Corsair CMK16GX4M2F4500C19 8GB
Corsair CML8GX3M2A1866C9 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE800SO10240
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
G Skill Intl F4-4133C19-8GTZSWF 8GB
Kingston 9965525-018.A00LF 4GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSE.16FBD 8GB
G Skill Intl F5-6400J3239G16G 16GB
Kllisre D4 8G 8GB
A-DATA Technology DDR4 2400 16GB
Crucial Technology BLS16G4D26BFSC.16FBD 16GB
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Crucial Technology BLS16G4S240FSD.16FBR 16GB
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB
Crucial Technology CT8G4DFD8213.C16FBR2 8GB
Kingston 9905403-174.A00LF 2GB
Corsair CMK64GX4M8B2800C14 8GB
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB
Gold Key Technology Co Ltd NMUD416E82-4400G 16GB
Einen Fehler melden
×
Bug description
Source link