RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
Über die Website
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB
Golden Empire CL19-19-19 D4-2666 4GB
Vergleichen Sie
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB vs Golden Empire CL19-19-19 D4-2666 4GB
Gesamtnote
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB
Gesamtnote
Golden Empire CL19-19-19 D4-2666 4GB
Unterschiede
Spezifikationen
Kommentare
Unterschiede
Gründe für die Berücksichtigung
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB
Einen Fehler melden
Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
28
32
Rund um 13% geringere Latenzzeit
Gründe für die Berücksichtigung
Golden Empire CL19-19-19 D4-2666 4GB
Einen Fehler melden
Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
15.7
12.9
Durchschnittswert bei den Tests
Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
11.7
9.0
Durchschnittswert bei den Tests
Höhere Speicherbandbreite, mbps
21300
12800
Rund um 1.66 höhere Bandbreite
Spezifikationen
Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB
Golden Empire CL19-19-19 D4-2666 4GB
Wichtigste Merkmale
Speicherart
DDR3
DDR4
Latenzzeit in PassMark, ns
28
32
Lesegeschwindigkeit, GB/s
12.9
15.7
Schreibgeschwindigkeit, GB/s
9.0
11.7
Speicherbandbreite, mbps
12800
21300
Other
Beschreibung
PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Timings / Taktgeschwindigkeit
9-9-9-24 / 1600 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
2112
2987
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB RAM-Vergleiche
SK Hynix HMT351S6CFR8C-PB 4GB
Kingston 99U5663-007.A00G 16GB
Golden Empire CL19-19-19 D4-2666 4GB RAM-Vergleiche
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLT16G4D30AETA.K16FB 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Letzte Vergleiche
Ramaxel Technology RMT3170EB68F9W1600 4GB
Corsair CM4X8GE2400C14K4 8GB
A-DATA Technology DOVF1B163G2G 2GB
Kingston KMKYF9-MID 8GB
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
Samsung M393A2K43DB3-CWE 16GB
AMD R538G1601U2S-UO 8GB
Kingston KY7N41-MIE 8GB
Team Group Inc. Vulcan-1600 4GB
Essencore Limited KD48GU880-32A160U 8GB
Asgard VMA45UG-MEC1U2AW1 8GB
G Skill Intl F4-2400C17-4GFT 4GB
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
SK Hynix HMA81GU6MFR8N-UH 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD38G1600L2S 8GB
Kingston RB24D4U7S8MB-8 8GB
Samsung M3 78T5663RZ3-CF7 2GB
G Skill Intl F4-3000C15-8GRR 8GB
AMD R538G1601U2S-UO 8GB
Crucial Technology CT16G4SFD824A.C16FE 16GB
Kingston 9905469-136.A00LF 4GB
Panram International Corporation W4N2400PS-8G 8GB
AMD R5S38G1601U2S 8GB
Kingston 9905624-022.A00G 8GB
Corsair CMY16GX3M4A2133C8 4GB
Crucial Technology BL16G32C16S4B.M16FE1 16GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
PUSKILL PJ8TFK1GM8 8GB
Einen Fehler melden
×
Bug description
Source link