Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB
Hyundai Inc AR32C16S8K2HU416R 8GB

Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB vs Hyundai Inc AR32C16S8K2HU416R 8GB

Gesamtnote
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Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB

Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB

Gesamtnote
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Hyundai Inc AR32C16S8K2HU416R 8GB

Hyundai Inc AR32C16S8K2HU416R 8GB

Unterschiede

Hyundai Inc AR32C16S8K2HU416R 8GB Gründe für die Berücksichtigung
Hyundai Inc AR32C16S8K2HU416R 8GB
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  • Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
    20 left arrow 28
    Rund um -40% geringere Latenzzeit
  • Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
    19 left arrow 12.9
    Durchschnittswert bei den Tests
  • Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
    15.1 left arrow 9.0
    Durchschnittswert bei den Tests
  • Höhere Speicherbandbreite, mbps
    21300 left arrow 12800
    Rund um 1.66 höhere Bandbreite

Spezifikationen

Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB
Hyundai Inc AR32C16S8K2HU416R 8GB
Wichtigste Merkmale
  • Speicherart
    DDR3 left arrow DDR4
  • Latenzzeit in PassMark, ns
    28 left arrow 20
  • Lesegeschwindigkeit, GB/s
    12.9 left arrow 19.0
  • Schreibgeschwindigkeit, GB/s
    9.0 left arrow 15.1
  • Speicherbandbreite, mbps
    12800 left arrow 21300
Other
  • Beschreibung
    PC3-12800, 1.5V, CAS Supported: 5 6 7 8 9 10 11 left arrow PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
  • Timings / Taktgeschwindigkeit
    9-9-9-24 / 1600 MHz left arrow 17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
  • Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
    2112 left arrow 3410
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
RAM 2

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