SK Hynix HYMP112U64CP8-S6 1GB
Shenzhen Micro Innovation Industry KF3200DDCD4 16GB

SK Hynix HYMP112U64CP8-S6 1GB vs Shenzhen Micro Innovation Industry KF3200DDCD4 16GB

Gesamtnote
star star star star star
SK Hynix HYMP112U64CP8-S6 1GB

SK Hynix HYMP112U64CP8-S6 1GB

Gesamtnote
star star star star star
Shenzhen Micro Innovation Industry KF3200DDCD4 16GB

Shenzhen Micro Innovation Industry KF3200DDCD4 16GB

Unterschiede

SK Hynix HYMP112U64CP8-S6 1GB Gründe für die Berücksichtigung
SK Hynix HYMP112U64CP8-S6 1GB
Einen Fehler melden
  • Schnellere Lesegeschwindigkeit, GB/s
    4 left arrow 20.5
    Durchschnittswert bei den Tests
  • Schnellere Schreibgeschwindigkeit, GB/s
    2,076.1 left arrow 15.5
    Durchschnittswert bei den Tests
  • Unterhalb der Latenzzeit in den PassMark-Tests, ns
    31 left arrow 59
    Rund um -90% geringere Latenzzeit
  • Höhere Speicherbandbreite, mbps
    25600 left arrow 6400
    Rund um 4 höhere Bandbreite

Spezifikationen

Vollständige Liste der technischen Spezifikationen
SK Hynix HYMP112U64CP8-S6 1GB
Shenzhen Micro Innovation Industry KF3200DDCD4 16GB
Wichtigste Merkmale
  • Speicherart
    DDR2 left arrow DDR4
  • Latenzzeit in PassMark, ns
    59 left arrow 31
  • Lesegeschwindigkeit, GB/s
    4,723.5 left arrow 20.5
  • Schreibgeschwindigkeit, GB/s
    2,076.1 left arrow 15.5
  • Speicherbandbreite, mbps
    6400 left arrow 25600
Other
  • Beschreibung
    PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6 left arrow PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24
  • Timings / Taktgeschwindigkeit
    5-5-5-15 / 800 MHz left arrow 20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
  • Ranking PassMark (Je mehr, desto besser)
    741 left arrow 3649
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
RAM 2

Letzte Vergleiche