Porównanie pamięci RAM SK Hynix HYMP112U64CP8-S6 1GB vs Shenzhen Micro Innovation Industry KF3200DDCD4 16GB

SK Hynix HYMP112U64CP8-S6 1GB vs Shenzhen Micro Innovation Industry KF3200DDCD4 16GB

Wynik ogólny

SK Hynix HYMP112U64CP8-S6 1GB

Wynik ogólny

Różnice Specyfikacje Uwagi

Powody do rozważenia
SK Hynix HYMP112U64CP8-S6 1GB

Większa szybkość odczytu, GB/s

4 20.5

Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s

2,076.1 15.5

Średnia wartość w badaniach

Powody do rozważenia
Shenzhen Micro Innovation Industry KF3200DDCD4 16GB

Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns

31 59

Wokół strony -90% niższe opóźnienia
Wyższa przepustowość pamięci, mbps

25600 6400

Wokół strony 4 większa szerokość pasma

Pełna lista specyfikacji technicznych

SK Hynix HYMP112U64CP8-S6 1GB

Shenzhen Micro Innovation Industry KF3200DDCD4 16GB

Główna charakterystyka

Other

Opis

PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6 PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24
Taktowanie / szybkość zegara

5-5-5-15 / 800 MHz 20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)

741 3649

RAM Latency Calculator

Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format

RAM 1

CAS Latency (CL) *

Frequency (Mhz) *

Absolute Latency

0 ns

RAM 2

CAS Latency (CL) *

Frequency (Mhz) *

Absolute Latency

0 ns