RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
SK Hynix HYMP112U64CP8-S6 1GB
Shenzhen Micro Innovation Industry KF3200DDCD4 16GB
Porównaj
SK Hynix HYMP112U64CP8-S6 1GB vs Shenzhen Micro Innovation Industry KF3200DDCD4 16GB
Wynik ogólny
SK Hynix HYMP112U64CP8-S6 1GB
Wynik ogólny
Shenzhen Micro Innovation Industry KF3200DDCD4 16GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
SK Hynix HYMP112U64CP8-S6 1GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
4
20.5
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
2,076.1
15.5
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
Shenzhen Micro Innovation Industry KF3200DDCD4 16GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
31
59
Wokół strony -90% niższe opóźnienia
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
25600
6400
Wokół strony 4 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
SK Hynix HYMP112U64CP8-S6 1GB
Shenzhen Micro Innovation Industry KF3200DDCD4 16GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR2
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
59
31
Prędkość odczytu, GB/s
4,723.5
20.5
Prędkość zapisu, GB/s
2,076.1
15.5
Szerokość pasma pamięci, mbps
6400
25600
Other
Opis
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24
Taktowanie / szybkość zegara
5-5-5-15 / 800 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
741
3649
SK Hynix HYMP112U64CP8-S6 1GB Porównanie pamięci RAM
SK Hynix HYMP112U64CP8-Y5 1GB
SK Hynix HYMP164U64CP6-Y5 512MB
Shenzhen Micro Innovation Industry KF3200DDCD4 16GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
A-DATA Technology AM2U16BC4P2-B05B 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Ramos Technology RMB4GB58BCA3-13HC 4GB
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
Kingston 99U5595-005.A00LF 2GB
Crucial Technology B|B8G4D30BET4K.C8FD 8GB
SK Hynix HMT351U6CFR8C-H9 4GB
Corsair CMK128GX4M8Z2933C16 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6MFR8A
Corsair CM4X4GD3000C15K4 4GB
Samsung M378A1G43DB0-CPB 8GB
Crucial Technology CT8G4DFS824A.M8FA 8GB
G Skill Intl F2-5300CL4-1GBSA 1GB
Corsair CMK8GX4M1E3200C16 8GB
Nanya Technology M2Y51264TU88B0B-3C 512MB
Micron Technology 16ATF2G64HZ-2G1A1 16GB
Wilk Elektronik S.A. GY1866D364L9A/4G 4GB
G Skill Intl F4-2400C15-16GTZR 16GB
Kingston KHX1600C9S3L/8G 8GB
Corsair CMD16GX4M4B2400C10 4GB
Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB
Corsair CMK128GX4M4D3600C18 32GB
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
Kingston 9905678-005.A00G 8GB
SK Hynix HMT31GR7BFR4C-H9 8GB
ACPI Digital Co. Ltd. CMA6-4FA01AAR01A00 4GB
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
Samsung M471A1K1KBB0-CPB 8GB
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
G Skill Intl F4-4133C19-8GTZKW 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link