RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB
Crucial Technology CT8G4DFRA266.C8FJ 8GB
Porównaj
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB vs Crucial Technology CT8G4DFRA266.C8FJ 8GB
Wynik ogólny
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB
Wynik ogólny
Crucial Technology CT8G4DFRA266.C8FJ 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
4
14.6
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
2,256.8
12.2
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
Crucial Technology CT8G4DFRA266.C8FJ 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
38
64
Wokół strony -68% niższe opóźnienia
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
21300
6400
Wokół strony 3.33 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB
Crucial Technology CT8G4DFRA266.C8FJ 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR2
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
64
38
Prędkość odczytu, GB/s
4,651.3
14.6
Prędkość zapisu, GB/s
2,256.8
12.2
Szerokość pasma pamięci, mbps
6400
21300
Other
Opis
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Taktowanie / szybkość zegara
5-5-5-15 / 800 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
837
2915
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB Porównanie pamięci RAM
G Skill Intl F2-6400CL5-4GBPQ 4GB
G Skill Intl F2-6400CL5-2GBNY 2GB
Crucial Technology CT8G4DFRA266.C8FJ 8GB Porównanie pamięci RAM
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Hong Kong Hyunion Electronics DDR4 3200 2OZ 16GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB
Crucial Technology CT8G4DFRA266.C8FJ 8GB
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
G Skill Intl F4-3733C17-16GTZKK 16GB
Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB
Micron Technology 4ATF51264HZ-2G6E1 4GB
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GR7AFR4N
Samsung M471A1G44AB0-CWE 8GB
Crucial Technology BL16G32C16U4BL.16FE 16GB
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
G Skill Intl F4-4000C16-16GTRSA 16GB
SK Hynix HMT31GR7CFR4C-PB 8GB
Golden Empire CL15-15-15 D4-2400 4GB
Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GSXWB 16GB
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Kingston 9905744-062.A00G 32GB
Kingston 99U5474-013.A00LF 2GB
Crucial Technology CT8G4DFS824A.M8FA 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD34G16002 4GB
AMD R744G2400U1S 4GB
Crucial Technology CT102464BF160B-16F 8GB
Corsair CMR16GX4M2D3000C16 8GB
SK Hynix HMT41GU7BFR8C-RD 8GB
Crucial Technology CT8G4DFS824A.C8FJ 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link