RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M471A1G44AB0-CWE 8GB
Crucial Technology BL16G32C16U4BL.16FE 16GB
Porównaj
Samsung M471A1G44AB0-CWE 8GB vs Crucial Technology BL16G32C16U4BL.16FE 16GB
Wynik ogólny
Samsung M471A1G44AB0-CWE 8GB
Wynik ogólny
Crucial Technology BL16G32C16U4BL.16FE 16GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M471A1G44AB0-CWE 8GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
15.3
14.9
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
25600
21300
Wokół strony 1.2% większa szerokość pasma
Powody do rozważenia
Crucial Technology BL16G32C16U4BL.16FE 16GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
30
50
Wokół strony -67% niższe opóźnienia
Większa szybkość zapisu, GB/s
14.2
10.9
Średnia wartość w badaniach
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M471A1G44AB0-CWE 8GB
Crucial Technology BL16G32C16U4BL.16FE 16GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR4
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
50
30
Prędkość odczytu, GB/s
15.3
14.9
Prędkość zapisu, GB/s
10.9
14.2
Szerokość pasma pamięci, mbps
25600
21300
Other
Opis
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 24
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Taktowanie / szybkość zegara
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
2512
3332
Samsung M471A1G44AB0-CWE 8GB Porównanie pamięci RAM
Samsung M386B4G70DM0-CMA4 32GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BL16G32C16U4BL.16FE 16GB Porównanie pamięci RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Crucial Technology CT16G4SFD824A.M16FB 16GB
A-DATA Technology AD73I1C1674EV 4GB
Kingston HP26D4U6S8ME-8X 8GB
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
Avant Technology W641GU67J7240N8 8GB
Peak Electronics 256X64M-67E 2GB
A-DATA Technology AO1P26KC8T1-BXPS 8GB
Samsung M471A1G44AB0-CWE 8GB
Crucial Technology BL16G32C16U4BL.16FE 16GB
Kingston KHX3200C18D4/8G 8GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-3000 CL15 4GB 4GB
Samsung M391B5673FH0-CH9 2GB
Ramaxel Technology RMSA3260MB78HAF2400 8GB
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
Golden Empire CL18-20-20 D4-3000 8GB
Corsair CMK32GX5M2B5600C36 16GB
Crucial Technology CT16G4SFD824A.M16FB 16GB
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
Galaxy Microsystems Ltd. GOC2017-Fugger 8GB
SK Hynix HMA82GS6CJR8N-VK 16GB
Gloway International (HK) STK4U2400D15082C 8GB
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Micron Technology 18ASF1G72PZ-2G1B1 8GB
Corsair CMD16GX3M4A2666C11 4GB
SanMax Technologies Inc. SMD4-U16G48MB-24R 16GB
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
Micron Technology 4ATF1G64HZ-3G2E1 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link